飞兆半导体Dual CoolTM封装满足DC-DC设计对更高功率密度需求

随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。

为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司开发出用于MOSFET器件的Dual CoolTM封装，Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。

Dual Cool封装具有外露的散热块，能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比，Dual Cool封装在配合散热片使用时，可将功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封装的MOSFET通过使用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，能够以较小的封装尺寸实现更低的RDS（ON）和更高的负载电流。

不同于其他采用顶部冷却的解决方案，这些器件提供有Power 33（3.3mm×3.3mm）和Power 56（5mm×6mm）Dual Cool封装选项。Dual Cool封装保持与行业标准PQFN相同的占位面积，可让功率工程师快速验证采用Dual Cool封装的MOSFET器件，无须采用非标准封装，即可获得更佳的热效率。（本刊通讯员）