分段电弧模型下VFTO的计算与分析
2010-07-25徐建源
孟 涛 林 莘 徐建源
(沈阳工业大学电气工程学院 沈阳 110178)
1 概述
在超高压及特高压的输变电系统中,幅值较高的快速暂态过电压(VFTO)主要是由隔离开关断口的电弧重燃引起的[1-2]。因此在VFTO的计算过程中,电弧模型是VFTO计算结果准确与否的关键。
目前,对VFTO进行计算时,一般采用了两种隔离开关的电弧模型,即定值电阻模型[3-4]和时变电阻模型[5-7],前者只考虑静态电弧电阻,后者虽考虑到了电弧的预击穿过程,却忽略了熄弧过程,本文根据隔离开关电弧的动态过程,提出了分段电弧模型,即将电弧过程分为三阶段:预击穿阶段、电弧稳态阶段、熄弧过程阶段,同时结合某550kV电站的实际电路,详细计算了三种电弧模型条件下 GIS内部的VFTO,并分析了电弧模型对VFTO特性的影响。
2 GIS设备的暂态电路模型研究
本文以某550kV换流变电站为研究对象,该电站采用了一台半断路器的接线方式,电站的一回线路的单相接线示意图如图 1所示。线路中有母线M1与M2,均处于带电状态,有两回出线,一回连接到换流站,另一回连接交流滤波器。
图1 550kV GIS的单相接线方式示意图Fig.1 Single line of diagram of the 550kV GIS
2.1 隔离开关的电弧模型
以往在对VFTO进行计算时,通常有两种隔离开关的电弧模型供选择。一是仅考虑静态电弧电阻,阻值一般取为2~5Ω。而隔离开关的燃弧过程是一个非常复杂的过程,电弧同时具有温度高和发强光的性质,因此定值电阻的电弧模型不能准确地反映电弧电阻动态特性,会给计算带来较大误差。
另一个是将电弧等效为一个时变电阻的形式,即电弧电阻用指数函数近似为下式
式中τ——时间常数,τ=1ns;
r0——静态的电弧电阻,r0=0.5Ω;
R0——隔离开关在起弧前的电阻,R0=1012Ω。
在时变电阻的电弧模型中,由式(1)不难看出,时变电阻的等效模型考虑了电弧电流过零前,即隔离开关合闸时,动静触头的预击穿过程中电弧电阻的变化趋势,并没有考虑电弧电流过零后电弧电阻的变化。
鉴于以上分析,本文提出隔离开关的分段电弧模型,电弧电阻变化曲线图如图2所示。
图2 电弧电阻的变化曲线Fig.2 The curve of arc resistance variation
图2曲线表示了电弧由起弧到熄灭过程中电弧电阻的变化,其中包括三个阶段,即:预击穿阶段(AB段)、电弧稳态阶段(BC段)、熄弧阶段(CD段)。对于外电路而言,A—B—C过程为电路导通,C—D为电路断开过程。
在隔离开关动静触头的预击穿阶段,隔离开关动静触头之间的间隙越来越小,加在弧隙之间的场强越来越大,电子在较强的电场作用下积累能量,当它与 SF6气体分子碰撞时,产生了碰撞电离。由汤逊理论可知,在隔离开关动静触头之间游离的粒子数量按指数曲线不断增加,单位时间内通过电弧横截面的电子数增加,流过隔离开关的电流迅速增加。同时电弧直径变大,内部热能增加,这两方面的原因使得电弧电阻迅速减小。因此预击穿阶段的电弧电阻仍可以由式(1)等效,即电弧电阻是以τ为时间常数按指数形式减小的。
当t=t1时,隔离开关断口被完全击穿,电弧充分燃烧,进入稳态阶段。电弧电阻为最小稳态值,此时令Ra(t)=r0=0.5Ω。
当t=t2时电弧电流为零,外界电路不再向电弧提供能量,进入熄弧阶段。在熄弧过程中的电弧电阻的变化见如下分析。
迄今为止,通常用麦也尔电弧动态数学模型分析电弧的开断现象。麦也尔电弧模型是基于热平衡、热惯性、热游离三个基本原理推导而成的,其方程式为
式中g——电弧电导;
uh——电弧电位梯度;
Ps——电弧散热功率,取为常数;
τ——电弧时间常数。
如果令Ra(t)=1/g,则由式(2)可得
式中Ra——电弧电阻。
由式(3)可以解得电弧电阻与时间以及恢复电压的关系式,即
式中Ra0——电弧电流过零时电弧电阻。
在电流过零情况下,若不考虑电流过零后弧隙上的恢复电压,即uh=0。所以有Ra(t)=Ra0et/τ。
按照电弧的静态伏安特性可知,当电弧电流为0时,应有Ra=∞。但由Ra(t)=Ra0et/τ,可见在没有外加恢复电压的情况下,Ra并不是立即变成无穷大的,而是以τ为时间常数的指数逐渐趋向于无穷大。τ的数值越大,Ra的数值上升的越慢。
由上述分析可以看出,在电流过零后若不考虑外加恢复电压的情况下,电弧电阻Ra按以τ为时间常数的指数曲线上升。所以可令电弧电阻Ra(t)=r0+Ra0et/τ。
图2中,t>t3时间段表示隔离开关完全分开,电路断开,电弧电阻趋向无穷大。
本文考虑到隔离开关动静触头较大,并且存在残余电荷,因此燃弧时,除了将电弧等效为时变电阻Ra(t)外,还考虑了动触头与静触头对GIS外壳的电容C。等效电路如图3所示。
图3 隔离开关电弧的等效电路Fig.3 The equivalent circuit of arc
本文借鉴了本课题组对隔离开关三维电场分析结果[8-9],在隔离开关的相关参数计算的基础上,将集中电容C取为12pF。
2.2 GIS其他设备的计算模型
在VFTO的计算过程中考虑到电磁波的传播过程,本文将变压器用一个集中的电感和对地电容来等效;GIS母线采用均匀无损传输线模型;接地开关、SF6/油套管均视为集中电容。断路器为双断口断路器,并且包括一个合闸电阻R=1500Ω,因此将其视为一个集中电容与电阻串联的等效电路。
计算过程中所需的设备等效参数大部分是结合课题组对 GIS内部各个元件等效参数的计算得到的[10-11]。另一部分由设备制造商提供。
3 VFTO的计算结果与分析
根据该电站接线方式的特点及实际的运行工况可以知道,断路器Q2与隔离开关Q、Q的操作比较频繁。因此,以Q关合操作为例,分析三种电弧模型下GIS内部VFTO的幅值与频率。
隔离开关操作时,残余电压以-1.0(pu)考虑,此时电弧重燃,产生的VFTO是最严重的情况。
由于线路中高压套管到换流站的架空线路波阻抗较大,线路较长,对VFTO的抑制作用较大,当VFTO由套管传到换流站再返回GIS内部时,它对GIS设备的影响就变得微乎其微,在计算过程中可以忽略该段线路。三种不同电弧模型下VFTO的计算结果见下表。
表 Q 操作时关键设备处VFTO详细计算结果Tab. The result of VFTO on the equipment in GIS under the condition of operation of Q
表 Q 操作时关键设备处VFTO详细计算结果Tab. The result of VFTO on the equipment in GIS under the condition of operation of Q
VFTO幅值(pu)节点位置 定值电阻模型时变电阻模型分段电弧模型QS 电源侧 2.145 2.023 2.429*21 QS 负载侧 2.096 2.021 2.181出线套管 2.322 2.519 2.544 Q2 2.460 2.583 2.965*21 QS 0.962 0.982 0.981*22
由上表可以知道,三种电弧模型相比,在分段电弧模型条件下,GIS关键设备处的 VFTO极值比较大,而另两种模型下的 VFTO极值相对较小。
在分段电弧模型下,系统电路相当于经历了导通—断开—导通两个暂态过程。电弧电阻的变化与VFTO波形如图4所示。
图4 分段电弧模型下隔离开关电源侧VFTO波形与电弧电阻的变化曲线Fig.4 The curve of the VFTO on the mains side of Q and arc resistance considered segmental arcing model
从图 4能够看出,隔离开关一次燃弧的时间在55~60ns之间。此外,在燃弧过程中电弧经历了击穿、燃弧、熄弧三个变化过程,由此引起了电路的暂态振荡过程。正是由于电路中连续出现的暂态振荡过程,从而使过电压幅值升高,出现了上表的计算结果,分段电弧模型下的 VFTO幅值较大。
VFTO的暂态振荡频率主要包括三部分,即1MHz左右的基本振荡、10MHz左右的高频振荡、几十MHz的特高频振荡。三种电弧模型条件下,隔离开关处VFTO的波形与频谱分析如图5所示。
图5 不同电弧模型下隔离开关电源侧VFTO波形与频谱分析Fig.5 The waveforms and frequency spectrograms of VFTO on the mains side of Q on the condition of varied arcing model
通过对比图5a、5b、5c可以看出,三种电弧模型下VFTO的基本振荡频率与特高频振荡频率基本相同,这是因为基本振荡频率主要是整个系统中的电感和电容决定的[12-13];特高频的振荡频率是VFTO波形在GIS内相邻部件间不断折射、反射和叠加形成的,幅值普遍较低[14-15]。
此外,时变电阻模型和分段电阻模型下 VFTO的谐波分量中,10~30MHz的高频振荡频率幅值较为明显,其中分段电阻模型下该频率段的幅值最大,这是由于分段电弧模型下电路的暂态过程比较复杂,使得振幅增大的缘故。
4 结论
隔离开关电弧是一个复杂的物理过程,它涉及到物质组成和物性变化、压缩气体的流动、电磁场的分布、热量的发散与吸收等问题,同时又是空间分布和快速时变的过程,其中的很多参数是高度非线性的。
本文依据分布参数电路理论和电弧的动态的物理过程,提出了分段电弧模型,通过计算分析,分段电弧模型下,GIS关键设备处VFTO幅值相对较大。频谱分析中10~30MHz的高频振荡频率幅值较为明显,而基本频率与特高频的振荡频率的幅值变化较小。因此,在VFTO的计算过程中,要充分考虑到电弧模型对其计算结果的影响。
[1] 林莘. 现代高压电器技术[M]. 北京: 机械工业出版社.
[2] 黎斌. SF6高压电器[M]. 2版. 北京: 机械工业出版社, 2008.
[3] 钟连洪, 欧世尧, 周红霞. GIS中快速暂态过电压的分析及计算[J]. 高电压技术, 2000, 26(1): 60-62.
Zhong Lianhong, Ou Shiyao, Zhou Hongxia. Analysis and calculation of very fast transient overvoltage in GIS[J]. High Voltage Engineering, 2000, 26(1):60-62.
[4] 高有华, 王尔智. GIS母线、管线电路模型及快速暂态过电压计算[J]. 沈阳工业大学学报, 2001, 23(3):203-206.
Gao Youhua, Wang Erzhi. Transient modeling of bus,bushing in GIS and calculation of very fast transient overvoltage[J]. Journal of Shenyang University of Technology, 2001, 23(3): 203-206.
[5] Meng Tao, Lin Xin, Xu Jianyuan. The effect of GIS apparatus parameter on very fast transient overvoltage[C]. 2008 International Conference on High Voltage Engineering and Application, Chongqing,China, 2008: 9-13, 292-295.
[6] 田驰, 林莘, 徐建源, 等. 800kV GIS中快速暂态过电压的仿真计算[C]. 第一届电器装备及其智能化学术会议, 西安, 2007: 706-710.
[7] Vinod V Kumar, Joy Thomas M, Naidu M S.Influence of switching conditions on the VFTO magnitudes in a GIS[J]. IEEE Transactions on Power Delivery, 2001, 16(4): 539-544.
[8] 徐建源, 司秉娥, 林莘, 等. 基于虚拟介电常数法的特高压GIS中隔离开关电场参数计算[J]. 电工技术学报, 2008, 23(5): 37-42.
Xu Jianyuan, Si Binge, Lin Xin, et al. Electric field parameter calculation of extra-high voltage GIS disconnector based on dummy dielectric constant method[J]. Transactions of China Electrotechical Society, 2008, 23(5): 37-42.
[9] 林莘, 司秉娥, 徐建源, 等. 1100kV GIS中隔离开关及故障接地开关电场数值分析[J]. 沈阳工业大学学报, 2007, 29(5): 524-528.
Lin Xin, Si Bing’e, Xu Jianyuan, et al. Electric field numerical analysis of extra-high voltage disconnector and fault earthing switch in 1100kV GIS [J]. Journal of Shenyang University of Technology, 2007, 29(5):524-528.
[10] 林莘, 孟涛, 田驰, 等. 550kV GIS内部快速暂态过电压计算与分析[J]. 电气应用, 2009, 28(9): 58-61.
[11] Lin Xin, Tian Chi, Xu Jianyuan, et al. Comparison and analysis on very fast transient over voltage based on 550kV GIS and 800kV GIS [C]. 2008 International Conference on High Voltage Engineering and Application, Chongqing, China, 2008: 9-13, 288-291.
[12] 童彤. 750kV特高压GIS隔离开关特快速暂态过电压(VFTO)的危害及预防[J]. 新疆电力, 2006(4):17-22.
[13] 谷定燮, 修木洪, 戴敏, 等. 1000kV GIS变电所VFTO特性研究[J]. 高电压技术, 2007, 33(11):27-32.
Gu Dingxie, Xiu Muhong, Dai Min, et al. Study on VFTO of 1000kV substation[J]. High Voltage Engineering, 2007, 33(11): 27-32.
[14] 史保壮, 张文员, 顾温国, 等. GIS中快速暂态过电压的计算及其影响因素分析[J]. 高电压技术, 1997,23(4): 19-21.
Shi Baozhuang, Zhang Wenyuan, Gu Wenguo, et al.Calculation and analysis of very fast transient overvoltage in GIS[J]. High Voltage Engineering,1997, 23(4): 19-21.
[15] 刘振亚. 特高压电网[M]. 北京: 中国经济出版社,2005.