美光科技推出第三代低延时内存

美光与领先芯片组和定制ASIC设计公司合作开发高带宽、低延时网络解决方案

2010年7月14日，美光科技(Micron Technology,Inc)推出了第三代低延时DRAM(RLDRAM®3内存)——一种高带宽内存技术，能更有效地传输网络信息，满足视频内容、移动应用和云计算蓬勃发展的需要。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。

对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供最高水平的技术支持，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50 nm工艺，提高系统性能，降低功耗。

RLDRAM 3内存产品的特点：(1)低延时：tRC不足10 ns，是业界最低的随机存取延时；(2)高密度：576 MB～1 GB，灵活性高，可用于多种设计；(3)高速率：达2 133 Mb/s，数据存取速度更快；(4)高能效：1.2 V IO和1.35 V内核电压，更省电。

美光维持着庞大的合作伙伴网络，使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其合作伙伴展开了广泛合作，为客户提供量身定制的解决方案，优化网络系统性能。作为这个价值生态系统的一部分，美光目前合作的领先FPGA公司有Altera和Xilinx，RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。

Altera组件产品营销资深总监Luanne Schirrmeister说：“Altera的28 nm Stratix V FPGA包括新的硬化数据通路，针对美光内存设有高性能、低延迟接口。RLDRAM 3内存的发布让我们的内存带宽可高达1 600 Mb/s，为行业内最高速度，大幅降低了延时。美光新的存储产品搭配Altera新的内存接口架构是一项重要技术成果，是我们与美光多年技术合作的一项巅峰之作。”

Xilinx应用和技术营销资深总监Rina Raman说：“Xilinx 7系列FPGA应用于最高级的网络设备，用于满足全世界对带宽无止尽的需求。我们与美光合作，支持其新的RLDRAM 3技术，让我们的客户能够开发网络平台，来满足最严格的基础设施需求。”

美光预计将从2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50 nm RLDRAM 2产品进行抽样。

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