基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

顾广瑞　李英爱　林景波　李全军　李哲奎　郑伟涛　赵永年　金曾孙

摘要：利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si(0．008～0．02 Ω·m)基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明，BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相。在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大，阈值电场随基底偏压的增加先增加后减小。基底偏压为—140V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品，阈值电场低于8V／tμm。F～N曲线表明，在外加电场的作用下，电子隧穿BN薄膜表面势垒发射到真空。

关键词：BN薄膜；场发射；偏压；粗糙度

中图分类号：O647．2

文献标识码：A

文章编号：1671—5489(1005)04—0513—04