佰维存储积极布局HBM+DDR5驱动高质量发展“5+2+X”战略助推核心价值提升
2024-05-25
2023年,受全球经济环境和行业周期影响,存储市场需求不振,但眼下行业曙光已现。去年三季度末以来,三星、SK海力士等国际存储厂均采取减产等举措,供给端边际改善成效显著。而随着下游应用市场回暖,存储市场需求持续复苏。集邦咨询认为,2024年DRAM和NAND价格有望连续四季看涨。
供给、需求、价格端共振下,存储行业拐点加速形成。以佰维存储为例,其2023年报与2024年一季报于4月30日同步披露。2023年,公司营收359075.22万元,同比增长20.27%,而去年四季度营收146829.78万元,同比增长83.46%,环比增长50.72%,同时毛利率环比回升11.19个百分点。此外一季报显示,2024年一季度公司营收172664.23万元,同比增长305.80%,毛利率环比增长15.40个百分点,净利润16756.23万元,同比增长232.97%,剔除股份支付后,同比增长300.69%。公司整体经营持续向好, 2024年全年表现值得期待。
此外,秉持“存储赋能万物智联”深远使命,佰维存储更以前瞻战略思维和市场洞察,全面制定了能够有效驱动自身稳健发展的中长期战略——“5+2+X”战略。据悉,该战略分别从“手机、PC、服务器、智能穿戴和工车规五大应用市场”、“二次增长曲线”和“存算一体、新接口、新介质和先进测试设备等创新领域的探索开拓”三大维度,深度聚焦公司短中长期发展。借此公司将持续构建新质生产力,服务产业和国家战略方向,并驱动自身核心价值持续提升。
硬核技术实现自身高质量发展国产化进程下凸显发展潜能
佰维存储专注半导体存储器研发设计、封装测试、生产和销售,主要产品为半导体存储器,主要服务为先进封测服务,其中半导体存储器按照应用领域不同又分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储等。多年发展积累,公司在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面拥有强大核心竞争力。2023年,公司研发投入24,998.04万元,同比增长97.77%。截至2023年年底,公司共取得307项境内外专利,其中包括95项发明专利和148项实用新型专利。
凭借硬核技术实力,佰维存储已拥有嵌入式存储、固态硬盘、内存模组、存储卡等丰富产品梯队,产品线包含NAND、DRAM存储器的各个主要类别。此外,公司拥有从产品规划、设计开发再到先进制造的全栈能力,并拥有全球营销网络,具备面向全球市场推广的能力。目前,DRAM和NAND主要由三星、SK海力士等海外厂商掌控,国内存储厂商市占率仍较低,我国存储行业国产化前景颇为广阔。而佰维存储等国内存储解决方案厂商正在大力提升自主研发水平和产业化能力,并通过定增等方式呈现上行周期加码态势,后续伴随国产化需求提升,有望获得增量市场空间。
存储产业助力发展新质生产力前瞻布局HBM+DDR5驱动长期发展
在新一轮科技革命和产业变革背景下,算力、数据成为关键生产要素,数据存储产业更成为发展新质生产力的强劲引擎。去年以来,AI大模型带来算力需求暴涨,更多数据需要被存储,生成式AI市场扩张推动AI服务器内存需求快速攀升。英伟达去年底推出搭载HBM3e内存的新一代图形处理器,带来容量、带宽和性能的全面升级。TrendForce研究显示,2023-2025年HBM市场规模CAGR有望达40%-45%以上。
佰维存储此前在接受机构调研时表示,其拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目,可构建HBM实现的封装技术基础。可以预见,后续公司项目投产,将给予市场更大想象空间。此外,AI大模型兴起催生海量算力需求,而数据处理量和传输速率大幅提升使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出更高要求。据IDC最新《中国企业级存储市场跟踪报告2023》显示,2023年中国企业级存储市场规模达66亿美元。目前,佰维存储已推出适用于服务器应用的企业级SSD、CXL 2.0 DRAM、RDIMM产品,正在进行市场推广。
业内普遍认为,AI是推动芯片行业实现快速增长的驱动力,并将推动存储行业复苏。未来随着DRAM、NAND价格回暖,叠加HBM和DDR5等高端产品市场需求攀升,存储芯片领域公司有望持续受益。佰维存储紧抓AI发展与服务器升级带来的HBM和DDR5重大发展契机,积极在周期低点加强战略备库,加之其综合竞争优势,未来将充分受益行业复苏,在夯實存储主业基础上,助力发展新质生产力,并有望开启全新成长周期。