铜基稀土过渡金属钙钛矿La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)的高压合成
2024-02-24叶鹏达刘雨微金美玲
孙 浩,叶鹏达,刘雨微,金美玲,李 翔
(1.北京理工大学物理学院,先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室, 北京 100081;2.北京理工大学机电学院,精工书院, 北京 100081)
具有钙钛矿结构的稀土-3d过渡金属氧化物RMO3(R 为稀土,M 为3d过渡金属)因表现出诸如多铁性[1-3]、高温超导[4]、巨磁阻效应[5]等奇异的物性而一直备受关注。从晶体结构来看,3d过渡金属阳离子M 与氧离子形成共角连接的MO6八面体,稀土阳离子R 位于MO6八面体的空隙中间。这种结构不仅可以容纳多种不同离子半径的稀土和过渡金属阳离子,造成MO6八面体的扭转和倾斜,而且还允许氧离子空位存在有序或无序排列。从电子结构来看,随着过渡金属阳离子3d价电子和稀土阳离子4f价电子的排布变化,考虑到电子间的强关联库仑相互作用,系统的轨道序和磁基态将发生显著改变。因此,稀土-3d过渡金属钙钛矿中存在结构、电荷、轨道和自旋多个量子自由度之间的相互耦合和竞争,为研究结构与物性的构效关系提供了绝佳平台。
然而,过去关于稀土-3d过渡金属钙钛矿RMO3的研究主要集中在过渡金属钒基[7-9]、铬基[10-12]、锰基[3,13-14]、铁基[15-17]、钴基[18-20]和镍基[21-23]体系,对铜基稀土钙钛矿RCuO3的探索非常缺乏。其中一个主要原因是,含有反常高价态Cu3+的钙钛矿RCuO3需要在超高氧压下合成,使得该体系的样品制备异常困难。虽然LaCuO3可在5.0 GPa 高压下合成[24]且已被广泛研究,但是随着稀土离子R 半径的进一步减小,RCuO3钙钛矿结构的几何容忍因子t变得更小,因此需要更高压力条件才能合成。Zhou 等[25]在1 600 ℃、6.5 GPa 的高温高压条件下合成了一系列La1-xNdxCuO3(0≤x≤0.6)固溶体,并系统研究了该体系的结构和物性演化规律,其中LaCuO3表现出金属性和增强的泡利顺磁性。Chen 等[26]在15.0 GPa 高压下合成出正交结构的钙钛矿NdCuO3样品,样品呈现绝缘体行为,但尚未系统研究其物性。以上结果表明,随着Nd3+的掺杂浓度提高,La1-xNdxCuO3(0.7≤x≤1)需要更高的合成压力,同时由于其σ*带逐渐变窄,将成为Cu3+单价钙钛矿体系中研究电子从巡游向局域渡越的关键材料。
为此,本研究将利用自主设计的高压组件,在Walker 型二级推进压机上探索在最佳压力和温度条件下合成新型铜基稀土钙钛矿La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)样品,并通过精修X 射线衍射谱图获得详细的结构相图,为进一步研究压力对其晶格结构和电子结构的调控规律提供实验依据。
1 实验技术
1.1 前驱体制备
将La2O3、Nd2O3(Macklin 公司,纯度99.9%)在900 ℃条件下预烧12 h,去除水分和附着气体;将预烧过的La2O3、Nd2O3和CuO 粉末(Aladdin 公司,纯度99.9%)按照La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)的化学计量比混合均匀,研磨30 min 以上;将混合粉末放入坩埚中,在马弗炉上于1 000 ℃烧结20 h,获得La1-xNdxCuO3(0≤x≤0.4)样品的前驱体;将研磨均匀的原料放入球磨机,以55 Hz 频率高速球磨12 h,获得La1-xNdxCuO3(0.5≤x≤1)样品的前驱体。高能球磨可以制造纳米级微观结构,使原料具有更小的粒径和更窄的粒度分布,促进其在非常规条件下发生反应[27-28],从而降低制备高浓度掺杂Nd3+样品的反应压力和温度条件。
1.2 高压高温制备
如图1 所示,本研究通过在高温下分解KClO4产生氧气并封装在密闭金筒中提供高氧压环境[29],利用Walker 型二级推进压机在高温高压条件下合成高质量的La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)样品。
首先,自主设计加工了Walker 型高压组件,通过建立组件尺寸、强度与压力的关系模型,优化其尺寸精度、材料强度和受力结构。通过在压机中对特定的压力标定材料加压,测量其电阻随外部油压的变化曲线[30-34],获得样品压强与外部油压的对应关系。每套组件由传压介质八面体(主要成分为氧化镁)、铬酸镧、氮化硼、铂筒、金箔、钼片和热电偶组成,其中热电偶放置在样品中心处,用来标定样品中心的反应温度。通过压力和温度校准,该高压组件可实现的最高压强和温度分别达到25 GPa 和1 300 ℃。
在此基础上,将样品的前驱体粉末冷压成圆柱体置于金箔筒中,并在样品两端装填近似等量的KClO4粉末,KClO4粉末与前驱体粉末的体积比约为1∶2,保证加热过程中释放过量的氧气与样品充分反应减少氧空位。合成La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)样品所需的优化压力和温度条件见表1。实验结果表明,随着Nd3+离子掺杂浓度的提高,La1-xNdxCuO3(0.7≤x≤1)需要更高的合成压力。
表1 La1-xNdxCuO3 (0≤x≤1)样品合成的压力和温度优化条件Table 1 Pressure and temperature conditions of synthesizing La1-xNdxCuO3 (0≤x≤1)
1.3 样品表征与精修
将合成的样品研磨30 min,用去离子水清洗3 遍以上去除KCl 杂质,利用Bruker D8 Advance X 射线粉末衍射仪(PXRD,X 射线波长λ=1.540 56 Å)在衍射角度为20°~100°、步长为0.02°条件下测量PXRD 数据,通过Fullprof 软件对La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)的PXRD 谱图进行Rietveld 精修,获取晶体结构信息[35]。
2 实验结果和讨论
图2 显示了LaCuO3、La0.5Nd0.5CuO3、La0.2Nd0.8CuO3和NdCuO3的PXRD 数据精修结果,其他更多组分的La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)结构精修结果见表2,其中:RP、RWP、Chi2 为精修品质因子。
表2 La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)的晶格参数Table 2 Structural parameters of La1-xNdxCuO3 (0≤x≤1)
图2 (a) LaCuO3、(b) La0.5Nd0.5CuO3、(c) La0.2Nd0.8CuO3 和(d) NdCuO3 的PXRD Rietveld 精修谱图Fig.2 Rietveld refinement of PXRD patterns of (a) LaCuO3, (b) La0.5Nd0.5CuO3, (c) La0.2Nd0.8CuO3 and (d) NdCuO3
LaCuO3具有空间群为R3c的菱方结构,而NdCuO3具有空间群为Pnma的正交结构,与之前报道[24,26]一致。随着Nd3+掺杂浓度的增加,当x为0.5、0.6、0.7 时,样品中存在R3c菱方结构与Pnma正交结构共存的情况。这一结果与之前Zhou 等[25]报道的La1-xNdxCuO3(0≤x≤0.6)保持菱方结构的结论不同,考虑可能与样品合成的压力和温度条件有关。进一步增大固溶体中Nd3+的掺杂浓度,发现样品在x≥0.8 时完全转变为Pnma正交结构,并具有较大的晶胞参数和晶格畸变。
基于以上结果,绘制了La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)体系随Nd3+掺杂浓度变化的结构相图,如图3 所示。该体系是Cu3+的单价钙钛矿,包含一个半填充的σ*窄带。LaCuO3在低温下表现出金属行为[36]。随着Nd3+掺杂增加,σ*的带宽将逐渐变窄,因此可在该材料中系统研究巡游σ*电子向局域e电子的渡越行为。与之类似的镍基RNiO3氧化物体系中,随着稀土离子半径的减小,在PrNiO3与NdNiO3之间发生了从金属到反铁磁绝缘体的一级相变,Ni—O 键长和Ni—O—Ni 键角的变化与巡游σ*电子向局域e电子的渡越密切相关[37]。之前的报道并未在La1-xNdxCuO3(0≤x≤0.6)样品中发现金属-绝缘体相变[25]。由于NdCuO3表现出绝缘体行为[26],后续可在具有更高Nd3+掺杂浓度的La1-xNdxCuO3(0.7≤x≤1)样品中探索电子临界行为和磁性转变。
3 结 论
通过自主设计加工的Walker 型高压组件,实现了1 300 ℃、25 GPa 的高温高压合成条件。在此基础上,成功合成了La1-xNdxCuO3(0≤x≤1)系列样品,并对其进行了详细的结构研究。实验结果表明:当x在0~0.4 范围内时,样品具有R3c菱方结构的单相;当x为0.5、0.6、0.7 时,样品具有R3c菱方结构与Pnma正交结构共存的混合相;而当x在0.8~1.0 范围内时,样品具有Pnma正交结构的单相。该体系为深入研究Cu3+单价钙钛矿的结构和物性演化规律提供了材料基础。