一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器

申请号: 202310125271.9

【申请日】2023.02.06

【公开号】CN115988946A

【公开日】2023.04.18

【分类号】H10N10/17;G01J5/12;H10N10/01;H10N10/13

【申请人】深圳市汇投智控科技有限公司

【发明人】周正;杨力建;倪梁;卢惠棉

【摘 要】本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器。包括：衬底，衬底的上表面开设有凹槽，衬底的下表面开设有背腔，其中，凹槽与背腔相对设置；介质叠层，位于衬底的上表面和凹槽内，介质叠层的下表面外露于背腔；导电层，位于介质叠层的上表面，导电层上开设有多个开口，开口贯穿导电层；隔离层，位于开口内和导电层的上表面，隔离层在开口所在位置处与介质叠层接触，隔离层上设有多个接触孔，接触孔与开口在半导体结构的厚度方向上错位设置；导电结构，设置在接触孔，并与导电层接触。采用本发明能够在不增加面积的情况下提高灵敏度。