专利名称: 一种充分暴露二硫化钼活性位的催化析氢电极的构筑方法

专利申请号: CN201811060369

公开号: CN109183058A

申请日:2018.09.12公开日:2019.01.11

申请人: 电子科技大学

本发明属于二维材料制备以及催化析氢技术领域，具体涉及一种充分暴露二硫化钼活性位的催化析氢电极的构筑方法。针对现有的二硫化钼纳米薄片催化析氢活性位点丰度低的问题，本发明的技术核心包括以下几点：(1)利用印刷法固载二硫化钼，构筑三维催化析氢电极；(2)掺入表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮，辅助剥离二硫化钼，并阻止二硫化钼纳米薄片的重团聚；(3)掺入还原氧化石墨烯为二硫化钼纳米薄片的分散提供锚点，进一步阻止二硫化钼纳米薄片的堆叠；(4)选用具有高表面粗糙度的载体作为电极基底。本发明适用于常温下酸性溶液中的催化析氢反应。