超高带宽的动态随机存储器问世

邰举

韩国SK海力士日前宣布，该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器（DRAM），每秒能够处理819GB的数据，内置ECC校检。

该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其中24GB是业界目前最大容量。在24GB產品中，单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm，使用TSV技术垂直连接12个芯片。

HBM3被称为第四代HBM，由多个垂直连接的DRAM芯片堆叠而成，能够创新性地提高内存带宽。