IBM混搭出低功耗硅基器件

近日，IBM歐洲研究中心和洛桑联邦理工学院的研究人员研发出一种混合硅基器件。该器件结合了三五族场效应晶体管和金氧半场效晶体管的优势，能够在不同电压条件下实现较低的功耗，未来或可用于减少信通行业的碳足迹。新研究已发表于国际学术期刊《自然—电子学》，论文名称为《集成在硅上的混合三五族场效应晶体管和金氧半场效晶体管技术平台》。