第三代半导体之GaN

从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN，而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

换言之，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是目前最为成熟的，商业化程度最高的第三代半导体材料，资本市场就是如此，有的时候很浪漫，比如酒的故事可以说上200年，有的时候的确很现实，没有盈利模式就一无是处，薄膜光伏电池、第三代半导体都是如此。

GaN是一种III/V直接带隙半导体，通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。受电信基础设施和国防两个方向应用推动，加上卫星通信、有线宽带和射频功率的需求增长，根据中信建投的测算，GaN射频市场将从2018年的6．45亿美元增长到2024年的约20亿美元。在GaN RF领域内，美日厂商遥遥领先，而相关专利领域的新进入者主要是中国厂商，例如 HiWafer(海威华芯)，三安集成、华进创威。

现行汽车的特点和功能是耗电和电子驱动，给传统的12V配电总线带来了额外负担。对于48V总线系统， GaN 技术可提高效率、缩小尺寸并降低系统成本。综合来看，GaN 在汽车电子方面拥有丰富的应用场景。

由于GaN充电器具有体积小、发热低、功率高、支持PD协议的特点，GaN充电器有望在未来统一笔记本电脑和手机的充电器市场。随着中国OEM厂商OPPO在其65W快速充电器中采用 GaN HEMT，功率 GaN 正在进入主流消费应用。

GaN 是蓝光LED 的基础材料，在 Micro LED、紫外激光器中也有重要应用。Micro LED被认为是下一代显示技术，而硅衬底GaN 基技术的特性是制造 Micro LED 芯片的天然选择。 (网易号)