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一种HF电子气体深度纯化材料的制备及应用方法

2021-04-04

低温与特气 2021年2期
关键词:高纯氟化物本发明

申请(专利)号:202010296836.6

公开(公告)日:2021-04-09

申请(专权)人:浙江博瑞电子科技有限公司

摘要:发明涉及高纯气体提纯领域,具体关于一种HF电子气体深度纯化材料的制备及应用方法;本发明制备了一种负载金属氟化物活性炭材料AC/MFx·nH2O,运用碳酰氟/高纯氮气混合气体流对该材料深度脱水后,得到一种HF电子气体深度纯化材料AC/MFx,该种材料具备氟化物,能够形成结晶水,形成水合金属氟化物,具备很强的吸水性能,而且无水氟化物和活性炭不存在被HF腐蚀的问题,不会造成骨架结构坍塌和反应产物对HF的二次污染,用于对HF进行高效除水具有纯度高,水分含量极低的优点。

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