基于有限元仿真后处理的传感器电容值计算方法申请号: 202010573493.3

【公开号】CN111737900A

【公开日】2020-10-02

【分类号】G06F30/23

【申请日】2020-06-22

【申请人】电子科技大学

【发明人】杜江锋;刘成艺;杨荣森

【摘 要】本发明公开了一种基于有限元仿真后处理的传感器电容值计算方法。首先根据传感器的结构和约束条件，利用有限元仿真软件进行传感器的建模和力学仿真，将力学仿真结果中的形变结果导出；然后处理形变结果获得每个绝缘层界面中各节点的绝对坐标与每个绝缘层边缘闭环路径中各节点的绝对坐标；再根据加密法、映射法分别计算传感器可变电容部分和固定电容部分的电容值后相加，获得最终传感器电容值，加密法和映射法结合使用增加了设计的灵活性。本发明解决了一些有限元仿真软件无法直接求解传感器电容值的问题，通过构造绝对坐标的方式，利用微元法思想，能够用于计算发生不规则形变的电容器，突破了均匀压力条件下小挠度和大挠度理论计算的限制，计算误差小。