一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器及其制备方法

申请号: 202110491003.X

【公开号】CN113049542A

【公开日】2021.06.29

【分类号】G01N21/45

【申请日】2021.05.06

【申请人】苏州大学

【发明人】吴绍龙;王杰;李刘晶;秦琳玲;张程;李孝峰

【摘 要】本发明公开了一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，属光学传感技术领域。沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底，每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔，无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层。与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。