长量程光学自参考位移传感器

申请号：202110371245.5

【公开号】CN112857232A

【公开日】2021.05.28

【分类号】G01B11/02

【申请日】2021.04.07

【申请人】中北大学

【发明人】武京治;王艳红;杨恒泽;李孟委

【摘 要】本发明公开了一种长量程光学自参考位移传感器，包括由上至下依次的金膜层、上玻璃层、间隙层、下玻璃层和硅基底，金膜层用于通过电流，所述金膜层的厚度为100 nm，所述金膜层上蚀刻有双纳米孔，双纳米孔包括两个相交的圆形纳米孔，所述双纳米孔下方的间隙层中对应设置有两个并排排列的效应块，该效应块为金纳米块。在电磁波垂直照射下，本发明的结构在激发anapole模式的对应波长处会表现出反射率急剧减小，利用这一模式，通过测量该结构反射光谱的变化来间接反映待测物体的位移，从而实现位移的探测。