主要国家半导体芯片制程技术专利趋势

2021年7月20日，韩国知识产权局网站发布半导体芯片制程技术专利趋势分析结果，研究发现，引领半导体芯片制程技术的鳍式场效应晶体管技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）正在失势，全环栅晶体管技术（Gate all around Field Effect Transistor，GAAFET）正在兴起。

未来人工智能等技术领域需要处理的数据量将剧增，为了处理大量的数据，需要比目前的5nm制程工艺更精密的3nm制程工艺。因此，相对于FinFET更先进的下一代半导体微型化技术竞争也将更加激烈。主要分析结论如下：

（1）此前一直作为半导体芯片制程技术支柱的FinFET技术专利申请数量从2017年开始转为下降，而新出现的GAA技术专利申请数量增长显著。

（2）FinFET技术已呈现出中国、韩国、美国企业竞争的态势；GAA技术呈现以台韩企业引领、美国企业在追赶的态势。

（3）台积电和三星电子将在GAAFET技术展开更加激烈的竞争。据悉，三星电子计划在2022年的3nm制程工艺开始应用GAA技术，或成为全球首个对该技术的产业应用。台积电已宣布在2023年的2nm制程工艺开始引进GAA技术。FinFET技术领域位居第二的中芯国际目前并未进入GAAFET技术排名。分析认为，尖端半导体领域的竞争主要是在美国、韩国、中国台湾之间。

（4）目前世界上能用5nm以下制程工艺技术制造半导体芯片的企业只有台积电和三星电子，但近期美国英特尔公司进军芯片制造行业，拜登政府也集中投资半导体技术，预计尖端半导体技术竞争将变得更加激烈。因此，率先革新技术是防止后来者进入该行业的最佳捷径。

罗毅（上海外国语大学）编译自

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