2020年第二季度DRAM总产值增15.4%

本报讯 集邦咨询旗下半导体研究处近日表示，2020年初在Serv-erDRAM价格强势领涨的带动下，各类DRAM价格正式翻扬;即便新冠肺炎疫情在第二季度开始向全球蔓延，然而采购端因担忧零部件断货，并未减少原本预估的订单量，使DRAM供应商出货量优于预期，进一步激励整体DRAM价格涨幅扩大，推升第二季度DRAM总产值至171亿美元，同比增长15.4%。

集邦咨询指出，三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂营收在第二季度走势保持一致且无明显变动，在DRAM量价齐扬的带动下，营收增长皆突破双位数;而各家市占除三大巨头以外，其他厂商占比合计仅5%。然而第三季度由于适逢美光财务年底，推测其会较积极地降价求量，可能使市占小幅上扬，但三大厂整体格局仍不受影响。

第二季度DRAM整体均价上升约10%（受各家产品比重与财务会计区间不同而有所差异），因此各家获利皆呈现上扬走势。三星的营业利率自第一季度的32%攀升至41%;SK海力士营业利率达35%。美光本次财报区间（3月至5月）的报价涨幅小于韩系厂，营业利率仅由上个季度的16%上升至21%。预期第三季度原厂成本优化的速度较难以支撑报价下滑的情况，获利恐面临压力。

技术发展上，第二季度三星持续将Line13部分产能由DRAM转向CIS（图像传感器），并准备启动平泽二厂P2L，预计下半年投入DRAM生产。在弥补Line13投片下滑的同时，也开始拉高1Znm制程比重。SK海力士M10廠DRAM投片持续转向CIS，同时增加M14产出;下半年将小幅提高无锡厂产能，全年DRAM位元增加主要来自于1Ynm制程比重提升。

美光今年仍着重在1Znm制程的量产与产出比重的拉升，当前适逢量产初期且部分OEM处于产品验证阶段，因此1Znm占比不高。预计随着验证通过，1Znm将成为该公司主推制程，而总产能方面则与去年大致相同。整体而言，今年三大DRAM原厂在扩增产能上都很谨慎。加上疫情对需求端带来的低潮尚未解除，预估明年位元增长仍有近七成来自1Ynm与1Znm的先进制程转换，而厂房扩增的产能增加仅占三成。

台厂方面，南亚科出货量与均价皆呈现约7%涨幅;受惠于报价提高，其营业利润率上升至19.6%。华邦受到长约效应影响，价格增长幅度仅0.5%。相较DRAM营收，Flash增长动能较为显著。力积电营收仅包括自家生产的标准型DRAM产品，第二季度因PMIC（电源管理IC）、DriverIC等逻辑产品.需求畅旺，导致DRAM产能紧缩，因此DRAM营收仅约略持平。

三家台厂在第二季度皆专注在下一代制程的研发，如南亚科积极专研1A/1Bnm，期望尽快导人试产;华邦持续提升新制程25nm的良率，而产能扩建倾向以Flash为主;力积电则在25nmDDR4产品改良的同时，将代工逻辑产品作为公司的营运重心。

（芯文）