台积电确认正研发3nm和4nm工艺

在臺积电第26届技术研讨会上，台积电不仅确认5nm、6nm已在量产中，且5nm还将在明年推出N5P增强版外，更先进的3nm、4nm也一并公布。3nm是5nm的自然迭代，4nm理论上说是5nm的终极改良。技术指标方面，3nm（N3）将在明年晚些时候风险试产，2022年投入大规模量产。

相较于5nm，3nm将可以带来25%～30%的功耗减少、10%～15%的性能提升。4nm（N4）同样定于明年晚些时候风险试产，2022年量产。对于台积电N5客户来说，将能非常平滑地过渡到N4，也就是流片成本大大降低、进度大大加快。

当然，台积电不是唯一一家3nm厂商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市场。而且在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则是坚守FinFET（鳍式场效应晶体管）。三星方面，3nm对比的是7nm，号称可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。