5G基站电源器件需要高性能、稳定性和耐久性

面对5G基站建设多样化的需求和复杂的应用环境所带来的挑战，需要电源器件不仅具有高性能，同时还要具有稳定性和耐久性，以助力运营商和设备厂商更好地完成4G到5G的平稳升级，实现高速稳定的网络覆盖。

为此，罗姆（ ROHM）针对无线基站推出了多款解决方案，包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC转换器等。

1 针对UPS 供电的电源IC

罗姆针对UPS供电方式，提供外置FET的升降压开关控制器“BD9035AEFV-C”、lch同步降压型DC/DC转换器“BD98304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的输入电压范围为3.8-30 V，开关频率在（ 100-600） kHz，能够在-40-+125℃工作温度范围内稳定运转。

BD9F800MUX输入电压范围为4.5-28 V，开关频率在（300-600） kHz，最大输出电流为8.OA，封装尺寸为3.5 mm×3.5 mm×0.6 mm。在基站建设方面，可用于DSP、FPGA、微处理器等的降压电源。

BD98304QWZ的主要优点是通过高效率实现低功耗工作。Deep-SLLM控制（升级版低负荷高效率模式）可实现80%以上的效率。同时，BD98304QWZ是内置MOSFET的同步整流器，无需外部FET和二极管，节省安装空间，实现了低成本。

2 针对HVDC 供电的J电源lC

针对HVDC供电方式，罗姆提供80 V/3 A DC/DC转换器“BD9G341AEFJ-LB”等产品。BD9G341AEFJ-LB内置80 V/3.5 A/150 mQ的Nch功率MOSFET，采用电流模式控制，实现了高速瞬态响应和简便的相位补偿设定。除了内置过流保护、欠压锁定、过热保护、过压保護等基本保护功能外，还能实现0μA待机电流和软启动。相比一般产品，BD9G341AEFJ-LB实现了诸多方面的突破，包括更高的工作电压、更大的工作电流和更小的封装尺寸等。在300 kHz、Vo=5 V、Vcc=24 V的工作条件下，当输出电流在0-100 mA范围时，BD9G341AEFJ-LB相较于一般产品在能效上提高了8%-17.6%。

3 为5G基站带来革新JSiC功率元器件

当然，除了供电方式发生变化，5G基站建设对器件材料变革也有推动作用。由于高频、高温、抗辐射以及大功率等挑战，以SiC功率元器件为首的高性能半导体材料将在5G建设上有重要应用。为此，罗姆推出了第三代SiC材料的肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。相较于第二代产品，第三代拥有更好的正向电压（ VF）特性和更好的反向电流（IR）特性，使客户在设计产品的过程中可以采用更低的开启电压，在正向切为反向时，为了降低功耗，器件将产生更小的瞬态电流。但是，因为SiC-SBD的瞬态电流本质上不随正向电流变化，恢复时产生的恢复电流很小，降低了系统噪声。相比一般产品，第三代650 V SiC-SBD表现出更好的产品性能，包括实现更高的/FSM（正向非重复浪涌电流），更低的漏电流，以及进一步降低VF等。