2021年NAND Flash市场竞争加剧

本报讯根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查，长江存储（YMTC）已在第一季度将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目标是第三季度进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂。考虑到客户导入的时间，预估长江存储新产品可能率先影响第四季度Wafer市场合约价，并自2021年起对Client SSD、eMMC/UFS等市场供给产生实质贡献，在供给增加的情况下，价格下跌的可能性也将提高。

集邦咨询表示，受到疫情影响，智能手机及笔记本电脑等终端需求將受到不小冲击，并对NAND Flash主流供应商获利能力造成影响，抑制未来持续扩产的幅度。相较之下，长江存储目前在各类应用的市占规模仍小，因此受疫情影响较低。当前目标将着重于与OEM进行64层TLC的相关产品导人及提升良率，并赶在今年内送交128层产品样品，将同时包含TLC以及QLC产品，以扩大客户基础。

3D NAND堆栈难度渐增，有利长江存储缩小差距。随着3D NANDFlash堆栈达到90层以上，主要供应商在更高层数蚀刻及堆栈技术的发展难度逐渐增加。观察各供应商的技术路线图，在1XX层的产品世代已有分歧：尽管三星、SK海力士已推出128层产品，但铠侠/西数、美光、英特尔的112/128/144层产品要到下半年才会放量，相比前几代3D NAND产品的发展进程更久，有利于长江存储的128层产品迎头赶上。

除此之外，2019年NAND Flash的价格平均跌幅达46%，导致主要供应商陷入亏损，资本支出因而转为保守，产出增长规划亦刨下历史新低，这也让长江存储有了拉近差距的机会。

2021年长江存储产能预估占整体NAND Flash约8%。身为新进供应商的长江存储目前拥有武汉厂，今年目标是成都厂开始投产，并逐步完成武汉厂区剩余二座厂房的兴建与扩产。预期NAND Flash市场竞争将加剧，长期价格面临持续下跌的压力。