彭练矛：国产碳芯片发展领军人

彭练矛，男，1962年9月生，湖南平江人，1982年毕业于北京大学无线電电子学系，1988年在美国获物理学博士学位。北京大学信息科学技术学院教授，博士生导师。2019年11月，当选为中国科学院院士。

彭练矛的主要研究领域为电子显微学和碳基电子学。在电子显微学领域，发展了可以精确处理一般材料体系反射和透射电子衍射、弹性和非弹性电子散射的理论框架;建立了确定材料结构所需的重要参数库。在碳基电子学领域，发展形成了整套碳基CMOS集成电路无掺杂制备新技术。采用不同功函数的金属作为电极，实现了碳管理想的欧姆接触，解决了制备性能超越硅基晶体管的碳管CMOS晶体管这一世界难题;利用钇可与碳纳米结构形成完美浸润，获得了高质量的超薄氧化钇栅介质层。在此基础上，首次制备出性能接近理论极限、栅长仅5纳米的碳管晶体管，综合性能超过硅基器件十余倍。

相关研究分别获得2010年度和2016年度国家自然科学奖二等奖，2017年获全国创新争先奖，2018年获何梁何利基金奖。