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无压烧结制备高纯层状Ti3AlC2材料的研究*

2019-12-06杨占鑫齐国超张雅斌范广宁刘源淼杨宏宇

陶瓷 2019年12期
关键词:熔点锦州层状

杨占鑫 吴 琼 齐国超 杨 晨 张雅斌 范广宁 刘 成 刘源淼 杨宏宇 张 弛

(辽宁工业大学材料科学与工程学院 辽宁 锦州 121001)

前言

Ti3AlC2是MAX相三元碳化物材料的典型成员,具有类似于“书本”的层状结构,由于它具有金属和陶瓷的许多不寻常的特性,因此引起了极大的关注。Ti3AlC2是一种优质材料,具有低密度(4.25 g/cm3),低热膨胀系数,高模量,高温强度,高温抗氧化性,高热稳定性,高熔点和高辐照耐受性[1]。此外,Ti3AlC2具有良好的导电性,通过剥离对应的MAX相中“A”层可产生类石墨烯二维层状结构材料MXene,在超级电容器和锂离子电池等领域具有重要应用[2]。

然而由于合成困难,Ti3AlC2首先由Pietzka和Schuster合成,直到1994年之后,为了满足社会日益增长的需求,采用各种方法制备出多晶Ti3AlC2,如机械研磨,热压(HP),热等静压(HIP),燃烧合成(SHS),放电等离子烧结(SPS)和粉浆浇铸[3]。但是,上述所有方法都需要非常严格的生产条件,包括高温高压和较长的烧结时间,这些都存在效率低下的缺点,因此限制了这些方法的大规模生产应用。而无压烧结是一种传统的粉末冶金方法,非常适合建立一种可用于大规模生产低成本高、纯度Ti3AlC2的工艺。为合成高纯度结晶性良好的Ti3AlC2,本研究添加少量低熔点元素——锡粉以改变烧结温度和铝含量,经过无压烧结合成了高纯度的Ti3AlC2材料,并进行结构表征及微观形貌观察,为进一步合成 MXene相Ti3C2材料提供前驱体基础。

1 实验

实验用钛(锦州昊天新材料科技有限公司,300目,99.9%)、铝(国药集团化学试剂有限公司,200目,99%)、石墨(锦州中维粉体材料有限公司,300目,99%)、Sn(锦州中维粉体材料有限公司,300目,99.999%)元素粉末为原料,按照摩尔比3∶(1 + x)∶2,(x = 0,0.1,0.2,0.3)标准比例称量,每样添加0.1 g的Sn粉。研究发现,在三元层状碳化物合成过程中原始粉末中的低熔点元素挥发,原始粉末中低熔点元素的添加量对合成材料的纯度有很重要影响[3]。本研究以Al为变量,每样10 g,加入适量乙醇放入球磨罐中研磨,研磨时间为30 min,真空干燥后标记装袋备用。Ti3AlC2的原料配比如表1所示。

表1 Ti3AlC2原料配比

将混合粉末在真空烧结炉中进行无压烧结,首先将混合好的样品置于刚玉坩埚中,从室温以15 ℃/ min的加热速率升至600 ℃,并保温60 min,使结晶水及有机物挥发,然后以加热速率为10 ℃/ min,在1 300~1 550 ℃的范围内保温30 min,保温结束后随炉冷却,升温曲线如图1所示。

图1 Ti3AlC2烧结温度曲线

2 结果与讨论

选取原料Ti/Al/C的摩尔比为3∶1.2∶2,以在1 400 ℃温度下制备Ti3AlC2为研究对象,通过X射线衍射(XRD)30 kV和40 mA的CuKα辐射鉴定烧结粉末和块体的相。通过场发射扫描电子显微镜(Sigma 500)观察微观结构。

如图2所示,在此制备条件下强而尖锐的峰表明其结晶性良好,仅在2θ角为35.94°时存在较少的TiC杂相,在原料中添加Sn粉是考虑到其熔点较低仅为232 ℃,在体系中各处首先融化形成熔池促进反应更早更均匀的进行,并可有效抑制“热爆行为”的发生[4],但在衍射图谱中并没有发现含有Sn的峰,可能是在长时间高温下本来就很少量的Sn已经挥发殆尽。表明很纯的Ti3AlC2可以在Ti/1.2Al/2C并添加少量Sn的混合物粉末于1 400 ℃下获得。

图2 Ti/1.2Al/2Ti粉末1400℃无压烧结30min的样品的XRD图谱

为了计算合成产物中Ti3AlC2和TiC的组成相的质量百分比,采用公式(1)和(2)进行计算,计算结果显示TiC含量为3.3%,Ti3AlC2含量为96.7%高于其它方法制得Ti3AlC2的纯度[5]。为进一步合成Ti3C2提供良好的前驱体材料。

(1)

WTi3AlC2=1-WTiCx

(2)

图3显示了在1 400 ℃下从Ti/1.2Al/2C粉末烧结30 min球磨后样品的SEM微观形貌。

图3 Ti/1.2Al/2Ti粉末1400℃无压烧结30min的样品的SEM图像

从图3中可以看到,多晶Ti3AlC2的典型层状内部微观结构,显示出非常均匀清晰的边界,且结晶性良好具有清晰的多层叠层,它们组合形成厚层,这被认为是板状Ti3AlC2在高温下的生长机制[6]。左侧面可以明显看到层间分离的空隙,可能是由于烧结时产生的热应力造成,这也进一步证明了Ti3AlC2结构中Ti原子和Al原子之间以强共价键连接,而Ti原子层和Al原子层之间为键合力较弱的金属键,这使得剥离Ti3AlC2中的Al原子层非常容易。清晰且结晶性良好的微观形貌为进一步合成 MXene相Ti3C2材料提供了基础。

3 结论

由Ti/1.2Al/2C添加少量Sn粉末混合物在1 400 ℃下无压烧结,可成功制备出高纯度Ti3AlC2,经计算纯度为96.7%。通过观察Ti3AlC2晶粒的SEM图,发现大晶粒是由大量薄片组成,并且薄片的厚度均匀,并且层状结构显著结晶性良好。

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