基于PID算法温度控制系统设计
2019-08-26杨伟浩
杨伟浩
摘要:本文采用NTC热敏电阻温度采集,STC15F2K60S2单片机为主控芯片,以PID为核心算法、PWM控制方式控制半导体制冷片,实现恒温的温度控制系统。硬件主要分为电源压降电路、温度采集电路、温控电路等三大部分。
关键词:PID算法;PWM;温度控制
中图分类号:TP273 文献标识码:A 文章编号:1007-9416(2019)05-0016-02
0 绪论
目前PID控制的理论研究和工程实践非常广泛,有三种比较常见的PID控制算法,分别是:位置式算法、增量式算法和积分分离算法。本设计采用积分分离算法,要求温度可以设置在15℃到80℃之间,控制精度±0.5℃。
1 系统的硬件架构设计
1.1 电源压降电路
本系统电源电路采用TI公司的升降压开关稳压器MC33063芯片,它具有宽电压3V至40V输入,可调输出电压1.25V至40V,输出开关电流最高达到1.5A。根据MC33063芯片手册Vout=1.25*(1+(R2/R1)),将R1=1.2K,R2=3.6K,可得出Vout=5V。
1.2 温度采集电路
温度采集电路是采用U.S.Sensor公司生产的热敏电阻KS103J2做为温度传感器PT4,与电阻R74串联构成一个分压电阻电路,分压电阻的计算公式为Uo=(PT4/(R74+PT4))/Ui。输出电压Uo通过LMP2012A放大信号作用,将电压放大了3倍,其放大倍数是由R73跟R67决定的,等同于公式(R73+R67)/R73=3,然后由ADS8325进行16位AD转换得到电压Vad,此时Uo=(5*Vad)/(65535*3),设R74=75K,Ui=5V,将Uo、R74、Ui代入分压电阻计算公式,可得出热敏电阻PT4此时的阻值,然后进行查表,可得出此时的温度,如图1所示。
1.3 温控电路
温控电路如图2所示。74HC08M是一款高速CMOS逻辑四路2输入与门功能芯片。LTC1693_2是一款高速双路N沟道MOSFET驱动器。IRF4905是P沟道的场效应管,与N沟道的场效应管IRF2804组成一个H桥电路,并由两片LTC1693_2芯片控制。
PE3_PWM为单片机STC15F2K60S2的PWM输出引脚,当PE3_PWM为高电平时,设置PF0为高电平,PF1为低电平,此时Q2与Q3导通,Q1与Q4截止,CON1_1与+12V相连,CON1_2与地相连;设置PF0为低电平,PF1为高电平,此时Q1与Q4导通,Q2与Q3截止,CON1_1与地相连,CON1_2与+12V相连。当PE3_PWM为低电平时,Q1、Q2、Q3、Q4都截止,CON1_1与CON1_2处于悬空状态。通过CON1_1与CON1_2的电压切换,实现对半导体制冷器的制热、制冷或关闭的控制。
2 PID算法计算控制
PID的控制流程是通过误差信号控制被控量,而控制器本身就是比例P、积分I、微分D三个环节的加和:
其控制公式为:
其中Kp为比例系数,Ti为积分时间常量,Td为微分时间常量,e(t)为系统偏差信号,u(x)为控制器输出信号。
其流程图如图3所示。
其中,PID的参数包括:设定温度值、当前温度值、偏差值、上一个偏差值、最上前的偏差值、比例系数、积分系数、微分系数。
3 结语
PID算法具有響应速度快,调节动作迅速,消除余差,又可以通过偏差的信号,趋势提前动作。控制器通过实时计算这种偏差,来调节PWM的占空比,从而实现控温的效果,使温度控制更加稳定精准。
参考文献
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