APD偏压的自适应电路设计
2019-08-23朱斌
文/朱斌
1 引言
雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD)具有体积小、灵敏度高、响应速度快等特点,特别是在内部雪崩倍增时可将信号倍增上百倍,且倍增后的噪声仅与运放本底噪声水平相当,从而极大地提高了系统的信噪比,被广泛应用于光纤通信、激光测距、星球定向和军事测控等领域。
APD工作时的信噪比(SNR)为:
式(1)中:M为APD 的雪崩增益,IP为M =1时的光电流,和输入光信号功率成正比,IDA为参与倍增的暗电流,IDS为不参与倍增的暗电流,B为带宽,F为过剩噪声系数,K为波尔兹曼常数,T为绝对温度,RL为负载,q为输入光信号功率。通过式(1)可以看出,在APD工作时随着雪崩增益M的增大,信噪比也逐渐增加;M继续增大信噪比反而会变小,故存在一个最优雪崩倍增因子MP:
式(2)中,x为APD 的过剩噪音指数,其大小取决于APD 的结构和制作材料的不同。从式(2)中可知,APD的最佳雪崩增益与温度、输入信号光功率、器件自身的暗电流及负载大小等有关。其中温度的影响最为突出,温度的变化是影响最佳雪崩增益的关键因素。因使用环境的不同,APD不总是工作在一个恒温的状态。当温度变化时,最优雪崩倍增因子也随之发生改变。根据作者在理论和实验的研究中发现,当APD增益比较恒定时,其偏压Vb与温度T之间存在一定的线性关系,该线性关系为:
图1:电路设计方案原理框图
式(3)中,PP是入注光功率,η是APD的量子效率,VBR是PN结的反向击穿电压。当APD确定时,偏压Vb仅与温度T有关,也即是当温度变化时,APD上的反向偏压应发生变化。结合式(2)、式(3)可知,当温度变化时,要保持固定倍增因子,必须实时调整加载于APD器件两端的反向偏压。
本文基于PIC单片机,设计出针对自研APD器件的偏压自适应电路。经试验测试验证,该偏压自适应电路满足在全温范围内自动调节要求,且满足工程化应用。
2 自适应电路设计
2.1 设计方案
APD器件为我所自研器件,该器件要求工作范围为-40℃~+65℃,反向偏压随温度变化为3.7V/℃,常温时偏置电压为-340V,温度采样由器件内置的AD590温度传感器实现。AD590是ADI公司研制的一款电流型温度传感器,温度系数为1μA/K,其温度范围覆盖了APD器件的工作范围,且具有良好的线性度。偏压自适应电路设计方案原理框图如图1所示。
温度传感器(AD590)的电流信号经I/V转换模块转换为电压信号(Current-Voltage Conversion),经运算放大器(OPA)运算处理后进入模数转换器(ADC)获得当前温度的数字信号,微处理器(PIC MCU)获得当前的温度值,经计算处理输出所需电压的数字信号到数模转换(DAC),控制高压模块(High Voltage Module)输出当前温度条件下APD所需要的偏置电压。通信接口(UART)可用于设置初始值、读出当前温度等,针对不同的APD可灵活修改各项参数,方便用户使用。
2.2 硬件设计
图2:运算电路
根据AD590的输出特性,采用一只电阻串接在AD590的一端,将表征温度的电流信号转换为电压信号。设计中使用电阻值为10K的金属膜电阻,精度为0.01%。金属膜电阻具有电压稳定性好、温度系数小、工作频率范围宽等特点,能够有效降低电阻值随温度变化引起的测量不准确度,从而可有效表征出全温度范围内温度的变化。APD的实际使用温度范围为-40℃~+65℃,可知AD590的电流范围为233μA~338μA,根据U=IR可知电阻值两端的电压为2.33V~3.38V。为了后端电路的处理以及提高带载能力,输出电压经过一级跟随电路;为了扩大动态范围,再经过一级减法和乘法的运算电路,具体电路如图2所示。运算电路采用集成运放实现,且要求集成运放具有低温漂、低输入偏置电流、轨道轨的特点。根据图2可知,输入信号Vin和输出信号Vout的关系为:
从式(4)可知,Vin应不小于2,也即是温度不得小于-73℃,以确保运算电路工作在正常状态。
图1中ADC和DAC均采用串行输入输出器件,转换电压范围均为0V~5V,ADC和DAC输出数据深度分别为16bit、14bit;高压模块输出电压范围为0V~-600V,输入控制电压为0V~5V,且输入和输出成线性比例关系。根据APD的工作温度及偏压随温度变化要求,结合式(4)可以推导出DNDAC和DNADC的理论关系如下:
式(5)中DNADC表示ADC已转换的温度数据,DNDAC表示输入到DAC待转换数据,经DAC转换为模拟信号控制高压模块输出高压作为APD的偏压。
2.3 软件设计
设计采用Microchip公司的PIC16F1825 EST型PIC单片机,该单片机内置精确的32Mhz振荡器,可减少外围电路;内部256字节的EEPROM可存储用户参数;支持SPI以及UART外部接口。软件代码基于Microchip公司MPLAB IDE设计平台采用汇编语言编写,软件具体流程如图3所示。
软件主要实现三个功能,分别是自适应调压的参数设置,在测试模式以及正常模式下实现电路正常工作。其详细工作流程如下:PIC单片机接收到UART的数据,根据式(5)设置自适应调压的参数,该参数保存于单片机的存储区,在关电重启后可自动调用运行。测试模式用于读取当前ADC的参数值,判断测试温度是否与实际温度一致;设置DAC的参数判定DAC是否正常工作以及对高压模块的测试,测试模式仅用于整个电路的调试或在电路出现故障时对其排故。正常模式是电路实际工作时的状态,实现对APD偏压的自适应调节。
3 实验验证及改进
将式(5)的参数写入单片机,在-40℃、0℃以及25℃常温下测试对应的高压输出与实际期望偏差较大。经分析电路设计,式(5)的计算公式为理论推导,其中对放大电路、乘法电路、减法电路均为理想参数计算;高压模块的输出最大值在全温度范围内是稳定不变,且输入输出是不变的。经实际测试,乘法电路的比例电阻比值因工艺误差原因乘法倍数不等于2倍,减法电路中因电阻的差异,分压之后的电压约等于2V,但存在偏差;高压模块在全温度范围内最小值为0V,但在60℃时,最大值为-608V,低温-40℃时,最大值为-598V。因此我们选择分段测试、线性拟合的方式对式(5)中的参数进行修正。
将电路分别放置在-35℃、-15℃、5℃、25℃、45℃、65℃的环境中,测试ADC以及高压模块对应的DAC的DN值,测试值如表1所示。
将上表的测试参数拟合成曲线,线性公式如下:
将上式中的参数写入单片机,选取不同的温度点测试,输出偏置电压期望值与测试值偏差小于0.5V;在设计时考虑到小型化的要求,整体电路的外形尺寸不大于25mm(L)×24mm(W)×15mm(H),可满足工程化应用。
4 结论
本文基于单片机平台设计了一款APD偏压自适应电路,该电路采用分段测试、线性拟合的方式,实现了在-40℃~+65℃范围内输出电压0V~-600V可自适应调整,电压偏差小于0.5V,外形尺寸不大于25mm(L)×24mm(W)×15mm(H),该电路经试验验证性能稳定可靠,已实现工程化应用。
表1:测试值
图3:软件流程图