一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法

专利申请号：CN201510288970.0

公开号：CN105272358A

申请日：2015.06.01

公开日：2016.01.27

申请人：湘潭大学

本发明公开了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法，其主要步骤为：1)将硫粉末和三氧化钼粉末分别装入两个石英舟中，将衬底放置于盛有三氧化钼粉末的石英舟上，正面朝下；(2)将盛有硫粉末和三氧化钼粉末的两个石英舟分别放置于一根石英试管的底端和管口处；(3) 将上述石英试管放置于管式炉中，试管底端和管口分别处于管式炉的边缘区和中心区；(4)向管式炉中通入保护气体氩气或氮气，且保持常压，直至实验结束；(5)以一定的升温速率升温管式炉，使管式炉的边缘区和中心区分别处于适当温度，并保持一段时间，硫粉末升华后与气相三氧化钼发生反应，在衬底上生成大面积的单层及少层二硫化钼薄膜；(6)冷却管式炉至室温，完成制备过程。本发明受气流影响小，重复率高，且在常压下即可实现高质量大面积的单层及少层二硫化钼薄膜的制备。