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MOCVD设备与现代MOCVD技术研究

2018-12-08许坚强

山东工业技术 2018年22期

许坚强

摘 要:MOCVD,即金属有机物化学气相沉积法、金属有机物气相外延生长,是一种制备化合物半导体薄层的方法,应用于多个领域,如太阳能电池、半导体激光器、LED等。现有的MOCVD设备主要依赖进口,成本较高,因此MOCVD设备的研究对国防高端技术、新能源领域都很有必要。文章简单分析了MOCVD设备以及MOCVD技术。

关键词:MOCVD设备;MOCVD技术;反应腔

DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.22.110

1 MOCVD设备构成

MOCVD设备包括了5个分系统,加热系统、反应室、气体输运及尾气处理系统、冷却系统、控制系统等。

(1)反应腔结构。MOCVD设备中,反应腔是生长材料的部分,其设计会影响到材料生长好坏。反应腔可以分为垂直式、水平式两种。垂直式反应腔的衬底表面和反应源的进气方向是相互垂直的,整个衬底表面被反应源全部覆盖,避免出现水平式反应腔中出现的消耗不均等问题。水平式反应腔的衬底设置在基座的水平方向,小直径的进气口向大直径的进气口过渡,气体从衬底上流过,避免出现湍流,以保证层流。水平式反应腔实现均匀薄膜厚度的难度较大,因此水平式反应腔不能大规模生产,只适合用于研究。

(2)加热系统、冷却系统。MOCVD设备薄层的生长温度在400-2000℃范围内。加热系统加热的是发生反应的基底,向反应提供所需温度,并且能够满足升温降温速度快、加热均匀和温度稳定时间短的要求。在反应腔中反应物均匀分布的情况下,基座表面熱场保持均匀就是提高薄层厚度均匀性的一种方式。

冷却系统包括了气体流道冷却、喷淋腔壁冷却、腔体中心管冷却、加热器电极冷却、尾气冷却等,见图1。

(3)气体运输系统。气体输运系统是 MOCVD设备成本的集中部位。因为所使用的载气属于超高纯气体,在输运中要避免出现气体被污染的情况,对调压阀、输运管道、切换组合阀、弯管连接头、气动隔膜阀等的光洁度、质量的要求非常高。同时,还有较多的高精度集成控制装置,包括质量流量控制器、压力控制器等。整个气路设置了多个检漏点,以防泄漏和为了定期维护设备。因此,气体输运系统的成本较高。

(4)整体控制系统。MOCVD设备有较多的控制参数,包括温度控制、机片座旋转控制、压力控制、安全防护、气流控制、故障报警分级处理和可靠性设计。温度的升温速率、跟随性、稳定性、均匀性和控制精度等对结晶表面形貌、质量、量子阱结构的都有很大影响。在外延生长中,机片座的转速通常为5-20r/分钟,转速采用的是全自动闭环控制。气体流量采用的是质量流量计,利用D/A和A/D构成闭环控制。流量控制有较高的精度要求,快速响应气流通断要求,满足多量子阱以及超晶格结构芯片生长的需要。MOCVD技术中,安全性一直是研究重点。MOCVD设备中使用了SiH4、H2等危险气体,若气体发生泄漏会威胁人员设备安全。在电气设计中需要对手套箱、气源柜进行气体检测。故障警报分级处理是将不同故障归纳为不同等级。如一级警报信息是指可能发生中毒、爆炸、火灾等,会造成严重人员伤亡的事故,比如反应室过压、氢气泄漏、氢气管道压力过低等。二级警报是指有可能损坏设备或者造成工艺失败的事故,如流量、旋转、压力、温度参数偏差等,给出关键信息,提示故障状况,并由操作人员进行处理。可靠性设计的重要部分可以使用高一级的元件,关键部分采取冗余设计或者降额设计,提升MOCVD设备的可靠性。

2 现代MOCVD技术研究

国内外的MOCVD设备通常运用的是气态源输运方式,然后进行薄层制备。气态源MOCVD设备是以气态方式把MO源输运到反应室,通过气体流量来控制反应室中的MO源流量,用气态源MOCVD技术沉积一些功能性金属氧化薄层,但为了避免输运过程中出现分解的情况,要求选择的金属有机物应该具有较高的分子稳定性。部分功能性金属氧化物有非常复杂的组分,元素合成具有较高蒸气压的液态MO源物质或者气态MO源物质的难度较大,而蒸气压稳定性差的气体不能利用鼓泡器输送到反应室。

在薄层晶体生长过程中,MOCVD技术具有独特优势。第一,能够在低温中制备出较高纯度的薄膜材料,降低材料的本征杂质含量,减少了热缺陷。第二,薄膜材料能够达到原子级精度。第三,使用质量流量计可以控制化合物的掺杂量与组分情况。第四,能够高重复性、大面积及均匀的完成薄膜生长,可以用于工业化生产。第五,通过切换气源,可以改变反应物的比例与种类,薄膜生长的界面成分发生突变,以实现界面陡峭。MOCVD技术能够使化合物单晶薄膜在结构区域更加细微化,逐渐向膜厚超薄化、组分多元化方向发展。各种异质结材料逐渐增多,使得生长出来的半导体化物材料能够满足毫米波半导体器、新型微波、光电子器的要求。人们可以在原子尺度上设置材料结构参数,确定材料波函数与能带结构,以此制备出量子微结构材料。

3 MOCVD技术的应用

MOCVD技术经过长期发展,可以满足光电子技术和微电子技术的发展需要,也制备了inAs/inSb、GaInp/GaAs、GaInAsp/inp等多种类型的薄膜晶体材料系列。MOCVD技术解决了量大面广的低廉价格与高难度的生长技术之间的矛盾。MOCVD技术的发展和化合物半导体器件的制造、材料研究的需求密切相关,也促进了新型器件的研究制造。当前,多种化合物半导体器件的制备均运用到了MOCVD技术,如量子阱激光器、SEED、HFET、HEMT、垂直腔面激光器、微腔、高电子迁移率晶体管、激光器、场效应晶体管等,促进了光电子技术、微电子的发展。目前军事电装备中的高温半导体器、微波毫米器件以及光电子器件等也应用MOCVD与MBE技术,进行薄层材料生长。

4 结束语

MOCVD设备由五个部分组成,控制系统、气体输运及尾气处理系统、加热和冷却系统、反应腔结构等。现代MOCVD技术也广泛应用多个领域,如军事、微电子等,也可以用于光学器件、超导薄膜材料、半导体器件、高介电材料等薄膜薄膜材料的制备中。但 MOCVD技术

的重要缺陷是还未研制出实时在位监测生长过程技术。近几年来,提出的表面吸收谱方式可以实现在位监测,但不能广泛推广。总之,MOCVD技术是一种持续发展中的半导体超精细加工技术,其发展会在很大程度上促进光电子技术与微电子技术的发展,其应用前景也会更为广泛。

参考文献:

[1]文尚胜,廖常俊,范广涵,刘颂豪,邓云龙,张国东.现代MOCVD技术的发展与展望[J].华南师范大学学报(自然科学版),1999(03):99-107.

[2]王卫星.MOCVD设备气体输运关键技术的研究[D].导师:刘胜,甘志银.华中科技大学,2008.