2018元器件和电子系统辐射效应研讨会在京召开

文/苑萱

为构建高端学术交流合作平台，助推航天强国建设，引领元器件抗辐射专业创新发展，由中国航天电子技术研究院主办，北京微电子技术研究所和哈尔滨工业大学承办的“2018元器件和电子系统辐射效应研讨会（RADECS Workshop 2018）暨第二届电子器件辐射效应国际会议”于2018年5月16日-18日在北京成功召开。本次会议得到中国航天科技集团有限公司科技委的大力支持。

▲会议海报

首次在中国举办

辐射效应大会（Radiation Effects on Components and Systems，简称“RADECS”）指导委员会及大会主席高度重视在中国举办的本次会议，派出了由6名专家组成的专业代表团出席会议。中国航天科技集团有限公司副总经理王海波及相关部门领导，中国航天电子技术研究院及哈尔滨工业大学有关领导出席会议。中国科学院、中国电子科技集团有限公司、哈尔滨工业大学等60余家国内研究机构和高校，以及15个国家的40余位专家学者共计260余位嘉宾出席了大会。

掌握辐射效应规律和机理，是评估和提升空间电子系统可靠性的关键基础，是研究抗辐射加固技术、辐射效应建模、辐射性能评估技术和研制抗辐射加固元器件的重要前提。RADECS是国际辐射加固领域顶级会议之一，1987年起源于欧洲。基于近年来中国元器件抗辐射专业技术及学术水平的持续提升，抗辐射加固电子产品进入国际市场且市场占有率的不断扩大，中国航天电子技术研究院取得了RADECS Workshop2018主办权，这是RADECS Workshop第一次在中国举办，也是第一次在非欧洲国家举办。

大会开幕式前，中国航天科技集团有限公司副总经理王海波会见了外方参会代表，对将RADECS Workshop放在中国北京举办表示感谢，并就双方未来的合作进行了友好交流。在随后的开幕式上，王海波发表了题为《中国航天的成就与发展》的主题演讲，重点介绍了中国航天在独立自主、自力更生发展历程中取得的伟大成就，展望了中国航天科技集团有限公司在创建航天强国建设中“开放包容、合作创新”的发展前景，并专题介绍了中国航天抗辐射加固元器件的技术发展和取得的丰硕成果。

中国航天电子技术研究院副院长王燕林、哈尔滨工业大学副校长郭斌分别进行大会致辞，对国内外科技专家、学者表示热烈欢迎。在大会主席、中国航天电子技术研究院科技委副主任赵元富的主持下，会议按照大会报告、专题研讨、现场参观等环节进行了研讨交流。

▲部分与会代表合影

深入交流促创新

大会报告环节，16位专家做了大会报告。赵元富进行了题为《纳米级集成电路抗辐射加固挑战和策略》的主题报告。范德堡大学教授肯尼思·加洛韦等3位美国知名专家，介绍了美国有关功率器件辐射相关可靠性、新型材料器件的辐射效应以及双极器件的辐射效应建模等研究成果。空中客车集团防务与航天公司勒诺·曼格雷特等6位欧洲专家介绍了欧洲有关国家的抗辐射发展情况。大会联合主席、哈尔滨工业大学李兴冀教授等5位中国专家交流了双极器件电离和非电离的协同效应、非易失存储器辐射效应、中子诱发单粒子效应等研究成果。

在专题研讨环节，按照辐射效应的机理及建模、新型器件和电路的辐射效应、抗辐射加固方法、辐射加固保证与评估四个专题分类，对5篇特邀报告和38篇学术论文进行了分组研讨。此外，55篇学术论文以海报形式进行了展示，论文作者与参会嘉宾进行了深入探讨与交流。

在现场参观环节，会议代表在中国航天电子技术研究院展室、中国空间技术研究院展示中心参观了航天电子、卫星应用、载人航天、月球探测及北斗导航等航天科技成果；在中国原子能研究所参观了加速器等设施，了解了我国元器件抗辐射专业现状和应用情况，并加深了国际同行对中国航天的认识，提升了青年学者对中国航天伟大成就的认知。

本次会议得到RADECS专家组的高度肯定及中外专家的一致好评。大会保持了RADECS一贯的专业技术水准，专业生动的现场演讲互动和海报展示交流成为大会的亮点，周密有序的会议组织提升了研讨交流效果,中国航天独立自主的发展道路及取得的伟大成就得到了国外专家的高度关注，希望有机会进一步加强与中国的合作。

元器件和电子系统的辐射效应及加固技术研究，始终是微电子技术领域的制高点，也是衡量一个国家航天技术水平的重要标志。近年来，随着中国航天微电子技术迅速发展，已基本实现了航天元器件的自主可控。本次会议进一步加强了抗辐射专业国际化交流平台建设，并将进一步促进专业技术的创新与发展。