西瓜嫁接苗不同育苗阶段不同的夜间温度对幼苗生长的影响*

章 鸥 甘小虎 魏猷刚 黄 雯 胡 静 阎庆九

（江苏省南京市蔬菜科学研究所，江苏 南京 210042）

西瓜栽培通常采用嫁接方式预防土壤连作障碍，西瓜嫁接后还可提高植株抗性，加快根系生长，增强根系的吸收能力，增强植株长势。西瓜嫁接苗成活期间需覆盖塑料薄膜加强保温保湿，但由于薄膜透光率低，环境湿度大，嫁接苗易徒长，秧苗长势弱，定植后缓苗时间长，且在运输途中极易被压折。

温度是影响植物生长的主要环境因子，已有文献报道育苗期间高温是导致黄瓜幼苗下胚轴徒长的主要原因，而低温下黄瓜幼苗叶片光合速率下降，幼苗的生产量显著降低[1～3]。合理调控温度是培育西瓜嫁接苗成功的关键。目前关于夜温影响西瓜嫁接苗生长的报道皆为整个育苗期同一个夜温[4～6]，本试验研究了西瓜嫁接苗的不同育苗阶段采用不同夜温对幼苗生长的影响，旨在了解西瓜嫁接苗徒长与夜温的关系，为西瓜嫁接苗的规模化生产提供科学依据。

1 材料与方法

1.1 试验材料

供试西瓜品种为苏蜜8号，砧木为小叶葫芦。

1.2 试验方法

试验设在南京市蔬菜科学研究所。2017年1月4日砧木播种，1月19日采用顶端插接法嫁接（该方法操作简单快捷，接穗与砧木结合紧密，嫁接苗成活率高，现已广泛应用于西瓜嫁接育苗中），3月8日出苗。将西瓜嫁接苗育苗期分为3个阶段：第一阶段为砧木播种至嫁接时，夜间温度分别设置8℃、10℃、11℃、13℃；第二阶段为嫁接后至幼苗长至二叶一心时，夜间温度分别设置15℃、16℃、17℃、18℃；第三阶段为幼苗二叶一心至成苗，夜间温度分别设置14℃、15℃、16℃、17℃。共12个处理，重复3次，试验期间各处理日间温度均保持一致。在第一、二阶段结束后，根据试验结果选择综合性状最优的处理进行第三阶段试验。

1.3 调查统计方法

分别于每个阶段试验结束时，即嫁接时（1月19日）、二叶一心期（2月24日）以及成苗期（3月8日）测量植株高度、植株高度绝对生长速率（高度的绝对生长量/时间）、接穗下胚轴绝对生长速率（下胚轴长度的绝对生长量/时间）、植株粗度、总叶面积和叶绿素含量。数据分析采用SAS软件的ANOVA过程处理，显著性检验采用邓肯式新复极差法。

2 结果与分析

2.1 育苗期第一阶段不同夜温对西瓜砧木生长的影响

由表1可知，随着夜间温度的升高，砧木的植株高度和绝对生长速率不断提高，8℃、10℃、11℃处理株高分别为3.33 cm、3.82 cm、4.07 cm，生长速率分别为0.222 cm/d、0.255 cm/d、0.271 cm/d，分别较13℃处理低41.6%、33.0%、28.6%，差异显著；植株粗度随着夜温的升高呈现先升高后降低的趋势，10℃处理植株的粗度最粗（2.70 mm），显著粗于11℃和13℃处理，8℃和10℃处理植株粗度差异不显著；各处理的叶绿素含量也呈现出先升高后降低的趋势，11℃处理叶绿素含量最高（47.51 mg/L）。

本阶段试验的目的是根据嫁接操作要求选择合适的砧木。植株粗壮有利于培育壮苗，植株高度过低不利于嫁接操作，因此，本试验中植株粗度最粗、高度次高的砧木苗最佳，即夜间温度保持10℃为本阶段理想夜温。

表1 育苗期第一阶段各处理西瓜砧木的植物学性状

2.2 育苗期第二阶段不同夜温对西瓜嫁接苗植株生长的影响

由表2可知，育苗期第二阶段，西瓜嫁接苗的植株粗度和总叶面积随着夜间温度升高呈现先升高后降低趋势，其他指标均随着温度的升高而升高。18℃处理西瓜嫁接苗的植株高度和高度绝对生长速率最高，分别为11.43 cm和0.204 cm/d，较15℃、16℃、17℃处理分别高22.8%和39.7%、14.3%和23.6%、2.7%和4.1%，与15℃、16℃处理差异显著，可认定其有徒长趋势；15℃处理嫁接苗的高度和粗度均最小，秧苗长势较弱。处理间嫁接苗的下胚轴长度和下胚轴绝对生长速率差异不显著。17℃处理嫁接苗的植株粗度达6.13 mm，最为粗壮，较15℃、16℃、18℃处理分别粗10.5%、5.1%和6.8%，显著高于15℃和18℃处理，与16℃处理差异不显著。同时，17℃处理的植株总叶面积最大，但与其他各处理差异不显著。

综合分析，17℃处理西瓜嫁接苗的粗度最粗、叶面积最大，16℃处理这两项指标略差，但与17℃处理差异不显著，故本阶段夜间温度控制在16～17℃较为理想。考虑到能耗等因素，本阶段夜温控制在17℃最为理想。

表2 育苗期第二阶段各处理西瓜嫁接苗的植物学性状

2.3 育苗期第三阶段不同夜温对西瓜嫁接苗植株生长的影响

由表3可知，育苗期第三阶段西瓜嫁接苗的植株生长速率普遍高于第二阶段，随着夜间温度的升高，西瓜嫁接苗的植株高度和高度绝对生长速率呈现先升高后下降的趋势，其中17℃处理植株生长速度最为缓慢，至出苗时植株高度仅为12.01 cm，较14℃、15℃和16℃处理分别矮7.0%、14.9%和11.4%，生长速率仅为0.168 cm/d，较14℃、15℃和16℃处理低30.6%、51.0%和43.2%。夜间温度越高，植株生长越粗壮，叶面积越大，17℃处理植株最为粗壮、叶面积最大，但与其他处理差异不显著。17℃处理西瓜嫁接苗的叶绿素含量也是最高的，说明该处理植株较为健壮。

从壮苗的角度考虑，本阶段需培育植株较粗较矮的秧苗，因此本阶段夜间温度宜控制在17℃。

表3 育苗期第三阶段各处理西瓜嫁接苗的植物学性状

3 结论与讨论

国外文献报道，光照、温度、水分等环境因子可通过改变植物激素水平影响下胚轴伸长[7～8]；Went研究表明，在光下26℃左右及暗处17～19℃植物茎的伸长速率最快[9]；国内学者研究表明，随着温度的降低，幼苗叶片气孔开度减小，叶绿素含量降低，从而导致光合速率下降，光合产物积累减少，幼苗生长缓慢[2，10～12]。本试验的研究结果与前人研究结果相似，育苗期第一阶段和第二阶段夜温越低，植株生长速率越低，但本研究认为在西瓜嫁接苗长有二叶一心后，夜间温度略高有利于形成壮苗。

试验结果表明，西瓜嫁接苗培育期间需分阶段调控温度。第一阶段，从砧木播种至嫁接，夜温控制在10℃为宜；第二阶段，嫁接后至幼苗二叶一心，夜温宜控制在16℃；第三阶段，幼苗二叶一心至出苗，夜温控制在17℃为宜。

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