重庆万国试生产启动将打造世界一流功率半导体企业

近日，重庆万国半导体科技有限公司12英寸功率半导体芯片项目试生产启动仪式举行。重庆万国半导体科技有限公司由美国AOS万国半导体科技有限公司、重庆战略性新兴产业股权投资基金和重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金共同出资组建，是全球第一家集芯片制造及封装测试的12英寸功率半导体企业，项目总投资10亿美元。

该项目包括晶圆制造与封装测试两大部分，2017年2月12口开工建设，2018年1月22口封测厂开始搬入设备并装机，3月15口晶圆厂开始搬入设备并装机。目前封测开始进入试生产阶段，晶圆厂亦将于第三季度试生产，预计今年年底，所有工程将全而完工、开始投产。项目一期预计每月生产2万片芯片、封装测试5亿颗芯片，年产值将达4亿美元;二期预计每月生产5万片芯片、封装测试12.5亿颗半导体芯片，年产值将达10亿美元。

AOS万国半导体董事长、CEO、重庆万国半导体董事长张复兴在致辞中表示，重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片及封装测试项目从2017年2月12日开工，历时16个月。经团队通力合作，发扬创新精神，今天迎来了项目的试生产。凭借AOS优越的技术与成熟的产品，重庆万国半导体建设成为世界一流的功率半导体企业。

同期，AOS万国半导体还在重庆举办了“AOS技术交流高峰论坛”。张复兴在主题演讲中对功率半导体在绿色节能产业中所发挥的作用进行了详细介绍，同时表示AOS万国半导体将承担起企业社会责任，推进功率半导体技术的发展。IGBT发明人B.Jayant Baliga教授、美国伦斯勒理工学院终身教授T.Paul Chow，受到组委会特别邀请出席论坛，发表专题演讲。Baliga教授以“IGBT的前生和未来”为题，分享了IGBT的起源，展望未来发展趋势。Chow教授的演讲题目为“宽禁带应用技术”，探究随着智能化、集成化和小型化的发展趋势，未来功率半导体的发展方向以及发展机遇。此外，万国半导体的高管团队还就最新的技术进展与现场嘉宾进行了深入探讨。

AOS成立于2000年9月，总部位于美国加州硅谷，是全球从事功率半导体研发、应用、设计、晶圆制造、封装测试为一体的IDM高新技术企业。目前拥有全球授权专利近1500项。根据IHS发布的全球功率MOSFET厂商排名，AOS排名第七位。

近年来，随着绿色节能经济理念不断深入人心，功率半导体市场需求持续提高。IC Insights指出，历经2015年短暂下调后，全球功率半导体市场已经重新回到持续提升的轨道之上，市场需要不断扩大。而在各类功率元件中，最具成长性的产品是高压MOSFET（超过200V）与IGBT模组，两类產品在2015年至2020年期间的复合年成长率（CAGR）预估分别为4.7%与4.0%。从技术发展趋势看，功率半导体器件的制造技术以微细加工和MOS工艺为基础，因此也使得功率半导体得以模块化、集成化，促进了功率模块（IPM）和功率IC的迅速发展。

（来源：电子信息产业网）