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一种并发双频段数字预失真技术研究

2017-09-29张远见胡应添

移动通信 2017年13期

张远见++胡应添

【摘 要】为了提高并发双频段功放的数字预失真性能,对现有的二维记忆多项式(2D-MP)模型进行优化,提出一种2D-DDR模型,2D-DDR相比于2D-MP具有更好的建模精度和线性化性能,并且在实现过程中,通过将2D-DDR扩展成TM-2D-DDR模型,解决了现实中两个频段链路时延不一致的问题。实验表明,TM-2D-DDR模型比现有的2D-MP模型线性化性能可改善2 dB以上。

【关键词】数字预失真 并发 多频 功率放大器

1 引言

随着对5G研究的深入,并发多频段无线传输技术受到了广泛关注。根据ITU建议书,5G系统将支持高频超大带宽信号以满足超高的峰值速率需求,结合中低频段信号实现连续广覆盖、低时延高可靠性以及海量机器连接的通信能力[1]。受限于现有数字器件的采样速率,超大带宽信号可能需要分割成多个频段,同时,现有的中低频段资源也均比较分散。并发多频段无线传输技术可以有效利用分散的5G频谱资源,同时处理多路并发信号,为5G的实现提供有效技术支撑。与此同时,并发多频段无线传输技术还可以用于多标准多制式系统的整合,实现无线系统的小型化、绿色化。

并发双频预失真技术作为并发多频段无线传输中的关键技术,受到国内外学者的广泛关注。单频预失真的算法不能直接用于双频预失真[2],因为两个并发信号一起通过功放时,除了信号自身会产生交调,两个信号之间还会相互作用,产生互调[3-4]。自身交调和相互之间的互调大小属于同一个数量级[5],无法忽略。典型的单频段预失真算法只有一个频段的信号作为输入,无法描述两个频段之间的相互作用。并发双频预失真模型应该以两个频段的信号作为输入,以补偿两个频段之间的互调失真。

2D-MP(2D-Memory Polynomial,二维记忆多项式)模型[6]是将MP(Memory Polynomial,记忆多项式)模型[7]推广到并发双频场景,模型增加了两个频段之间的相互交叉项,能同时补偿自身交调和频段间互调。但是MP模型的建模精度较低[8-9],基于MP模型扩展的2D-MP模型也存在同样的问题。

DDR(Dynamic Deviation Reduction,動态偏差截断)模型是一种精度更高的功放模型[10]。本文对DDR模型进行了改进,将其扩展到并发双频模式,并引入时延差参数,得出基于DDR模型的并发双频数字预失真模型,通过实验平台验证了其有效性。

2 并发双频数字预失真

2.1 单频段DDR模型

DDR模型和记忆多项式(MP)模型类似,也是一种简化Volterra级数模型[11],对比MP,DDR模型精度更高,使用DDR模型进行DPD(Digital Pre-Distortion,数字预失真)可以取得更好的线性化性能。

DDR模型引入动态偏差,将过去时刻的信号分离成当前时刻的信号和一个动态偏差函数,动态偏差函数表达式为:

e(n, l)=x(n-l)-x(n) (1)

其中,x(n)是实时输入的信号,x(n-l)是之前的输入信号,e(n, l)表示两个信号之间的偏差。

将公式(1)代入Volterra级数模型,可以将模型等效分离成静态非线性分量ys(n)和动态非线性分量yd(n),表达式如公式(2)所示:

(2)

其中,vk为非线性阶数为k时对应的静态非线性特性系数,wk,r(l1, …, lr)为r阶动态非线性特性系数,K为非线性项的阶数,L是记忆深度。

结合实际情况,一般动态非线性分量会随着阶数的增高而迅速减少,通常情况下,为了取得建模精度与模型复杂度之间的平衡,会取“r=2”,得到的2阶DDR模型如公式(3)所示:

(3)

其中,K是非线性项的阶数,L是记忆深度,akl是非线性阶数为k、记忆深度为l时对应的DDR模型系数。

DDR模型的第一项是一般记忆多项式项,即为MP模型;剩下3项是交叉项,用于描述当前信号与时延信号之间的相互作用。实际使用时,交叉项的阶数与记忆深度通常要小于一般项的阶数与记忆深度。

2.2 并发双频段2D-DDR模型

在并发双频模式下,频率间隔“?ω=2ω”的功放双频输入信号x(n)可以表示为:

(4)

其中,x1(n)是低频段信号的复包络,x2(n)是高频段信号的复包络,T是信号的采样间隔。

将公式(4)代入公式(3),舍掉±ω以外的分量,并将同一频点的分量合并,就能得到低频段(-ω)和高频段(ω)的输出信号表达式,也就是2D-DDR模型。其中低频段的输出信号表达式为:

(5)

高频段输出信号的表达式为:

(6)

从2D-DDR模型可以看出,每个频段附近的失真产物不仅包括该频段信号自身产生的交调失真,还包括由于另一个频段信号同时存在而产生的互调失真。

3 并发双频段2D-DDR模型实验验证

为了完成2D-DDR模型的预失真实验,搭建了如图1所示的并发双频DPD系统,其中x(n)、y(n)、z(n)分别表示基带输入信号、PA输出信号和预失真信号。数字基带信号板输出两路峰均比为7.5 dB的20 MHz LTE信号,然后射频搬移至2 310 MHz和2 380 MHz,最后通过合路器进入GaN功放。

在实际应用中实现并发双频预失真时,发现由于电子器件精度或者信号处理问题,两条链路之间存在数个采样间隔的差距。设△tT1和△tT2为功放前链路的时延,△tR1和△tR2是反馈链路的时延,有高、低频段信号进入功放前的时延差是△T=△tT2-△tT1,实测系统的时延差范围在0~10个采样间隔。endprint

为观察时延对性能影响,对比实验结果,如表1所示。其中,时延单位为采样周期Ts,对于采样率为307.2 MHz的系统,采样周期Ts为3 ns,表格中成对给出了载波的低频/高频邻道的功率比的结果(ACPR(Adjent Channel Power Rate,邻信道功率比))。可见,并发双频段数字预失真算法对于两个频段之间进入功放前的时延(△tT1和△tT2)敏感,时延问题是实现并发双频预失真系统必须要解决的问题。

4 并发双频段TM-2D-DDR模型

为了解决时延对2D-DDR性能产生影响的问题,重新对实际进入功放的信号建模,如公式(7)所示:

(7)

?T是高、低频段信号进入功放前的时延差。由于?T是一个较小的值,可以将x2(nT+?T)表示为x2(n)附近2J个采样点的的线性插值[12]:

(8)

插值点数代表容忍的时延差范围,使用2J个点插值表示可以容忍±J个采样间隔内的时延误差。将公式(8)代入公式(5)、(6)即可得到能够容忍时延差的TM-2D-DDR预失真模型:

(9)

(10)

5 并发双频段TM-2D-DDR模型实验验证

对优化后的模型TM-2D-DDR再次进行对比实验验证。对比实验中的2D-MP模型采样参考文献[13],同时结合公式(6)进行时延容忍优化而得到TM-2D-MP模型。预失真器中的2D-DDR、2D-MP模型参数设置均为:一般项阶数Kp=K=5,一般项记忆深度Lp=L=3,交叉项阶数Kq=Kr-Ks=3,交叉项记忆深度Lq=Lr=Ls=2,时延容忍长度J=2。

表2列出了使用不同功放模型预失真后的线性化性能,图4是不同功放模型预失真前后的频谱图。从实验结果可见,2D-DDR模型比2D-MP模型具有更好的线性化性能,而引入时延参数优化的TM-2D-DDR模型性能最好,ACPR改善幅度达到18 dB左右。

6 结论

本文提出了一种基于DDR模型的并发双频DPD模型2D-DDR,并在实现的过程中发现时延差会对DPD性能产生影响,在2D-DDR模型的基础上引入了时延差参数得到TM-2D-DDR模型。实验结果表明,在相同的情况下,2D-DDR模型相對于2D-MP模型,建模精度更高,线性化性能更好。另外,由于双频系统中存在的时延差会显著影响DPD性能,使用TM-2D-DDR模型可以很好地处理两个频段之间时延差的问题,优化DPD性能。

参考文献:

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