TI GaN功率设计可高效驱动200 V交流伺服驱动器和机器人
2017-04-17
单片机与嵌入式系统应用 2017年8期
TI GaN功率设计可高效驱动200 V交流伺服驱动器和机器人
德州仪器(TI)推出一项创新的三相氮化镓(GaN)逆变器参考设计,可帮助工程师构建200 V、2 kW交流伺服电机驱动器和下一代工业机器人,具有快速的电流回路控制、更高的效率、更精确的速度和转矩控制。
三相高频GaN逆变器参考设计采用TI去年最新推出的LMG3410 600 V、12 A GaN功率模块,具有集成FET、栅极驱动器和保护功能。 GaN模块可使设计开关比硅FET快5倍,可在100 kHz时实现高于98%的效率水平,在24 kHz脉宽调制(PWM)频率下,可实现高于99%的效率水平。使用GaN,设计人员可以优化开关性能,减少电机的功率损耗,并可降低散热片的尺寸以节省电路板空间。与低电感电机配合使用时,以100 kHz运行逆变器,可大幅改善转矩脉动。