高通骁龙835
2016-12-27
通信产业报 2016年42期
11月17日，高通公布了下一代旗舰SoC骁龙835，这是首款采用三星10nm FinFET工艺制造的手机芯片，与上一代14nm FinFET工艺相比能够减少30%的芯片尺寸，性能方面相比上代提升27%，功耗降低40%。骁龙835支持全新升级的QC 4.0快充技术，要比上一代快20%。
（康嘉林）
2016-12-27
11月17日，高通公布了下一代旗舰SoC骁龙835，这是首款采用三星10nm FinFET工艺制造的手机芯片，与上一代14nm FinFET工艺相比能够减少30%的芯片尺寸，性能方面相比上代提升27%，功耗降低40%。骁龙835支持全新升级的QC 4.0快充技术，要比上一代快20%。
（康嘉林）
