一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法
2016-03-25
传感器世界 2016年12期
申请号: 201510908225.1
【公开号】CN105405965A
【公开日】2016.03.16
【分类号】H01L43/06; H01L43/14; G01R33/00
【申请日】2015.12.09
【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【发明人】王浩敏;谢红;王慧山;李蕾;谢晓明;江绵恒
【摘 要】本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—h-BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构,可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏;以h-BN作为衬底及封装层,有利于维持石墨烯载流子迁移率,并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒,以提高器件电学性能;此外石墨烯与金属电极之间采用一维线接触的方式连接,将大大降低器件的接触电阻及功耗。