TI：600 V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能——TI公布其制造并提供样片的首款集成高压GaN FET和驱动器解决方案可实现2倍的功率密度，同时将功率损耗减半

TI：600 V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能
——TI公布其制造并提供样片的首款集成高压GaN FET和驱动器解决方案可实现2倍的功率密度，同时将功率损耗减半

基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器（TI）近日宣布推出一款600 V氮化镓（GaN）70 mU场效应晶体管（FET）功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。

“通过3百万小时以上的可靠测试，LMG3410使电源设计人员对GaN的无限潜能充满信心，并且这也使他们用之前认为根本不可行的方法重新思考电源架构和系统，”TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses说，“随着TI在生产制造能力和大量系统设计专业知识方面的声誉不断扩大，全新的功率级成为TI迈向GaN市场的重要一步。”

借助集成驱动器和零反向恢复电流等特性，LMG3410提供可靠的性能，特别是在硬开关应用中更是如此；在这些应用中，它能够极大地降低开关损耗，最多能降低80%。与独立GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了针对温度、电流和欠压闭锁（UVLO）故障保护的内置智能化等功能。

LMG3410是第一款包含了由TI生产的GaN FET的半导体集成电路（IC）。基于在制造和工艺领域多年形成的专业技术，TI在其硅技术兼容的工厂内创造出了GaN器件，并且通过不断的实践，使这些器件的质量超过了电子元件工业联合会（JEDEC）标准的要求，以确保GaN在严酷的使用环境下的可靠性和稳健耐用性。

（TI供稿）