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射频与微波功率放大器发展的历程、现状与趋势

2015-11-26吴淘锁邬海峰

物联网技术 2015年11期
关键词:未来趋势发展现状

吴淘锁++邬海峰

摘 要:随着无线通信技术的快速演进,无线通信系统的性能指标变得尤为重要。功率放大器作为无线通信系统中影响发射机输出功率、效率、线性度等指标的重要器件,其研究和设计的重点也相应发生着变化。了解并掌握PA的相关演进过程与趋势,对于PA的设计和研发有着重要的意义。因此,文章通过基于20年间文献的调研成果,介绍了PA的演进历程、研究现状、发展趋势及其中一些亟待解决的问题。

关键词:发展现状;未来趋势;PA;射频与微波

中图分类号:TP393 文献标识码:A 文章编号:2095-1302(2015)11-00-02

0 引 言

功率放大器(PA)是射频与微波系统中发射机末端的关键元件,其作用是将输入信号在需要的频带上进行放大,并使其功率达到系统所要求的等级水平,故PA的性能直接影响到整个通信系统信号的传输距离和传输质量。分析PA的演进历程、研究现状与国内外发展趋势,有利于分析不同类型PA产生的原因及特点,有利于PA设计在无线通信技术发展中所面临的输出功率、效率、线性度等一些问题的解决,对设计良好的PA有一定的研究意义。

1 功率放大器的演进

功率放大器(PA)的发展历程如图1所示,其中列举了无线通信系统发展中的一些代表性事件。从图1中可以看出,PA主要经历了发展初期、平稳过渡阶段蓬勃发展阶段这三个发展阶段。

1.1 发展初期

如图1所示,1833年,Faraday最先发现硫化银的电阻不同于一般的金属,其电阻随温度升高而降低,这被认为是半导体现象的首次发现;1904年,电子二极管问世;1906年,真空三极管的问世推动了无线电广播系统的发展;1920年,随着半导体的进一步发展,人们开始研究PA,设计出传统的模拟功率放大器有A类、B类、AB类及C类;为了解决AB类功率回退、效率降低的问题,1936年,Doherty提出了可以提高射频PA效率的一种解决方案[1],即为DPA;为了进一步实现PA的高效率指标,1958年,Tyler第一次提出了高效F类PA的一般性阐述[2];1975年,Sokal在文献中提出了E类PA的基本模型[3],因其高频性能出色、结构简单而广泛应用于无线通信、开关电源等领域中。

1.2 平稳过渡阶段

1980年,数字预失真(Digital Pre-Distortion,DPD)被首次提出,进而破解了PA线性化技术中的难题,随之DPA受到研究重视;1990年,由于对线性度和效率折衷的迫切需要,AB、B类PA 又得到了大力的研究与快速的发展;如图1所示,2000年,Grebennikov重新分析了F类PA[4],并设计出了三次谐波峰化的负载网络,解决了F类PA效率较低的问题,继而逆F类PA问世。由于这一段时期为模拟移动通信向着数字移动通信跨越的交叉时期,无线通信技术正处于转型阶段,故导致PA的研究随着无线通信的平稳发展而缓慢推进。

图1 PA的发展历程

1.3 蓬勃发展阶段

2003年,为了提高PA的效率与线性度,DPD首次结合AB类PA的应用如图1所示,2005年为降低E类PA晶体管的峰值电压,进而减小其被击穿的风险,提高整体电路的可靠性,逆E类PA问世;随着无线通信系统的进一步需求与快速发展,2006年,为解决PA效率低、带宽窄的问题,简化其拓扑结构,J类PA被提出,并于2009年由Cripps团队首次实现了J类功率放大器的实体化设计[5];2010年,高效、宽带连续F类PA问世,与此同时,为解决传统AB类PA必须工作在效率较低的功率回退区的问题,包络跟踪(ET)PA问世。

随着无线通信新标准、新技术的不断发展,要求提高射频与微波PA的各种性能,进一步降低成本、减小尺寸与重量。同时拥有良好的线性度、高输出功率及效率。基于PA的发展历程与演进原因,所有这些问题对其设计提出了新的要求,并决定了PA的下一步发展趋势。

2 PA的研究现状及发展趋势

2.1 PA的研究现状

按照PA文献的发表时间、数量进行分析,从图2可以得出,1995~2004年为慢速上升期,2005~2011年上升速度较快,2012~2014年,则有所下降并出现波动。通过对Journals& Magazines 杂志的论文发表量进行分析,可以看出PA文献的发表数目是逐年上升的。由此可以说明,PA在近20年里的研究在持续升温,并成为热门的研究课题。

图2 近20年PA文献发表数目

由表1可知,通过对PA相关会议的地点分布进行分析,美洲排名第一,亚太地区和欧洲次之,发现可提供学术交流平台的地区多为发达国家,如美国、英国、日本等国家,显而易见的是美国占78%,说明其占有绝对的研究优势,而中国仅占3%,说明中国在PA研究领域仍然处于发展初期。

2.2 PA研究的发展趋势

近几十年来影响射频与微波功率放大器发展的因素主要为器件、工艺与技术,如表2所示,文献的索引率及引用率反映了近四年PA研究的热点课题。通过表2的分析结果,结合文献分析与PA有关的热点研究,可以分为E类PA、DPD、GaN、Doherty、晶体管模型等,具体相关的热点研究方向为以下几个方面:

(1)由于高效率PA的研究是未来发展方向,故针对E类PA的研究仍将是重点;

(2)DPD技术作为提高PA线性度的热点研究方法,其宽带特性也是重点研究对象,未来PA线性度研究仍是重点;

(3)GaN PA虽然出现较晚,但是近些年拥有较高的关注度,表明了其强劲的研究态势,是未来大功率PA的主力;

(4)PA设计的基础为晶体管的建模,因其非线性效应的建模是提升PA线性度等指标的重要保障,因此也将是研究热点之一;

(5)Doherty PA是电路架构研究方式中的热点问题,因为它可以实现效率和线性度的良好折中,同时针对峰均比信号具有良好的平均效率。

表1 PA文献发表会议统计表国别 百分比 国别 百分比

美国 78% 澳大利亚 3%

加拿大 4% 法国 2%

日本 3% 瑞士 2%

英国 3% 韩国 1%

中国 3% 新加坡 1%

3 结 语

综上所述,PA的研究仍是一个持续升温、热门的课题,设计具有高集成度、低成本、高效率的集成PA,以及研究具有高效率、高线性度等指标的GaN分立PA,将是未来射频与微波功率放大器的发展趋势,同时通过提高现有PA的效率、线性度及晶体管模型精度,通过新型器件和新颖的设计技术,将有利于促进无线通信系统的进一步发展。

参考文献

[1] W. H. Doherty.A new high efficiency power amplifier for modulated waves[J].Proc. Inst. Radio Eng., 1936, 24(9):1163-1182.

[2] V. J. Tyler. A new high-efficiency high power amplifier[J].Marconi Rev., 1958, 2(130):96-109.

[3] N. O. Sokal, A. D. Sokal.Class E-A new class of high-efficiency tuned single-ended switching power amplifiers[J].IEEE J. Solid-State Circuits, 1975, 10(3):168-176.

[4] A. V. Grebennikov.Circuit design technique for high efficiency class F amplifiers[J].IEEE Int. Microw. Symp. Dig., 2000,2:771-774.

[5] P. Wright, J. Lees, J. Benedikt, et al. A methodology for realizing high efficiency class-J in a linear and broadband PA[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2010,57(12):3196-3204.

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[7] F. H. Raab, P. M. Asbeck, S. C. Cripps, et al.Power amplifiers and transmitters for RF and microwave[J].IEEE Trans. Microw. Theory Tech., 2002, 50(3):814-826.

[8] U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, et al.GaN-based RF power devices and amplifiers[J].Proc. IEEE, 2008, 96(2):287-305.

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[10] J. Kim, K. Konstantinou.Digital predistortion of wideband signals based on power amplifier model with memory[J]. IET Electron. Lett.,2001, 37(23):1417-1418.

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