反超英特尔IBM推出7nm芯片

无心

IBM宣布在超密计算机芯片工艺上取得了一项重大突破，已经成功研制出了7nm芯片的可工作样品，这项技术最大的变革在于，其采用的是锗硅材料以及极紫外光刻技术（EUV）。

这项技术由IBM、Global Foundries、三星和纽约州立大学理工学院纳米工程系联手完成，一共投资了30亿美元。锗硅这种新材料有望让晶体管的通断变得更快，同时功耗更低。而这种微尺寸的晶体管也表明了业界迫切需要新的材料和新的制造技术，才能够进一步地发展。根据IBM官方的说法，采用新材料及技术可以给芯片带来50%的性能提升。

IBM还表示，未来完全有可能研制出200亿颗晶体管的微处理器。这一消息确实很令人振奋，不过需要注意的是，IBM已经于日前将旗下芯片业务卖给Global Foundries，所以其相关技术都已授权给后者。

事实上，在14nm工艺之后，业界普遍认为半导体工艺已经逐渐停滞，与此同时大家也在质疑存活了50年的摩尔定律是不是已经过时了。

以英特尔为例，其早就宣称有能力达到7nm的高度。但是结果呢，其最近基带处理器接连出现跳票延迟推出，撇开7nm不说，其10nm在不久前已经宣告了无限期跳票，这对一直在工艺上领先的英特尔来说确实有些难堪。除了英特尔，三星和台积电两家厂商也在逼近10nm这一难关，现在还不能断言这是不是个死胡同，但14nm跨越到10nm确实是一个坎。

可以说，IBM通过全新的材料以及全新的技术已经率先取得了突破，尽管IBM的新型芯片仍处于研究阶段，但它有望让摩尔定律至少延续到2018年。更值得期待的是“蓝色巨人”何时实现7nm的商用。

最后，业界还必须应对极紫外线（EUV）光刻在接近于原子尺寸时该如何转型。此前，英特尔表示有方法抵近7nm制程，不过该公司并未表示这一代芯片是否有可能到来。IBM亦拒绝对“这项技术将于何时开始商业化生产”置评。台积电已在今年表示其计划于2017年开始试产7nm芯片，不过该公司并未像IBM一样拿出原型芯片。而新一代极紫外光刻设备能否满足长曝光时间的要求，将成为高速制造业务的关键。因为即使最轻微的震动，都会对光蚀刻线路造成破坏，所以业内不得不专门建造一座“绝对稳定”的建筑，以便将震动和设备隔绝开来。

IBM方面表示，财团现已看到使用极紫外光刻的商业制造业务上的一种途径。该公司半导体研究副总裁穆克什·哈雷（Mukesh Khare）表示：“迄今为止的演示都发生在研究实验室里，而不是一座生产工厂中。与业界计划于下一年引入的10nm技术相比，我们最终的目标是将电路尺寸再缩减上50%。”