中芯国际与円星科技合作推出多样化存储控制器应用平台

中芯国际与円星科技合作推出多样化存储控制器应用平台

上海2015年12月10日电/--中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981），中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，与円星科技(“M31 Technology Corporation”)，专业的IP开发商，今日共同宣布，中芯国际将采用円星科技差异化高速接口IP，针对固态硬盘(SSD)、通用快闪存储器(UFS)与USB闪存盘，推出多样化的存储控制器应用IP解决方案。基于中芯国际从110nm到28nm的逻辑工艺技术，此存储控制器应用平台可协助客户实现低功耗、高性能和小晶片面积的产品设计，同时推动中芯国际的工艺平台实现更多差异化的应用。

针对固态硬盘(SSD)市场，中芯国际40nm低漏电工艺采用円星科技所开发的新一代PCIe 3.0物理层IP，此IP已与多家厂商的控制器搭配测试并符合PCI-SIG的规范，针对不同带宽需求，提供1 lane,2 lane以及4 lane的选择，协助客户快速开发出能够支持PCle 3.0固态硬盘的芯片。此外，中芯国际预计将在28nm先进工艺采用PCIe 3.0物理层IP，提供客户更快速度、更省功耗的解决方案。

由于通用快闪存储器2.0(Universal Flash Storage；UFS 2.0将成为新一代内嵌式存储器的主流规格，中芯国际55nm LL工艺采用円星科技开发的MIPI M-PHY物理层IP，具备高带宽能力与低功耗特性，已与多家厂商的控制器搭配测试并通过UFS 2.0的系统验证。另中芯国际预计将在28nm HK工艺与40nm LL工艺采用円星科技的MIPI M-PHY物理层IP，除了可支持双通道技术之外，更支持极端省电的休眠模式，尤其适合新一代的行动装置使用。

在USB闪存控制器产品应用上，円星科技自行开发的BCK（Built-in-Clock；内建频率）技术，为行动装置芯片提供无石英震荡器(Crystal-less)的解决方案，已在中芯国际55nm和110nm工艺协助客户导入量产。新一代的BCK技术除了支持传统USB 1.1/2.0/ 3.0装置端之外，也支持32.768KHz的频率输入,除了能扩大BCK技术至USB主机端的应用之外，其低功率消耗的特性，也满足了物联网应用的需求。

随着Type-C接口的普及，円星科技正在中芯国际28nm及40nm工艺上开发USB3.1/USB3.0 PHY IP，将原本需要外接的高速交换器(High-speed switch)，内建于PHY IP之中来支持无方向性的插拔，同时也支持不同VBUS组态的侦测，已成功导入客户的产品设计。

中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士表示，“中芯国际在着重发展先进技术的同时，始终坚持特殊工艺及差异化产品的开发。在存储控制器产品领域，中芯国际的逻辑工艺技术和IP已布局多年，现已发展成熟并进入量产，能够为客户提供差异化解决方案，满足大数据存储对高性能、低功耗存储控制器产品的需求。円星科技是中芯国际的重要IP合作伙伴之一，有提供高速接口客户多样化解决方案的实力，未来我们期待双方能够进一步紧密合作，共创双赢。”

円星科技董事长林孝平表示，“中芯国际在诸多先进工艺上已陆续采用円星科技经技术验证的IP，如PCIe 3.0、MIPI M-PHY V3.0、USB3.0等产品，解决了当今主流存储装置各种芯片互连的需求，业者可集中心思在设计开发上，无需再耗费时间验证IP。通过与中芯国际的合作，我们相信能够以优质的差异化高速接口IP和专业的服务来支持全球客户。”

(消息来源:中芯国际集成电路制造有限公司)