安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容

推动高能效创新的安森美半导体 （ON Semiconductor），针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广的产品阵容。

这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS（on）值，从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2 164 pF的门极电容（Ciss），确保保持尽可能低的驱动损耗

安森美半导体新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT和 NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40 V，最大导通电阻值(Vgs为10 V时)分别为0.74 mΩ、0.9 mΩ和2.8 mΩ，连续漏电流分别为352 A、315 A和127 A。与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL和 NTMFS5C646NL，额定击穿电压60 V，最高导通电阻分别为1.2 mΩ、1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相关的连续漏电流为287 A、235 A和93 A。40 V和60 V的这两种器件的额定工作结温都高达175℃，从而为工程师的设计提供更大的热余裕。安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装，如micro8FL、DPAK和TO220来扩大此产品线。