安森美半导体推出全系列双倍数据速率（DDR）终端稳压器

安森美半导体（ON Semiconductor），推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压降（LDO）线性稳压器产品阵容，以支持双倍数据速率（DDR）内存。NCP51200、NCP51400、NCP51510和NCP51199采用内置功率MOSFET，针对在电脑、数据网络、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、伺服器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人电脑/笔记本电脑主机板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。

这些高性能 LDO 支持 DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4 和 LPDDR4 标准，终端电压（VTT）低至 500 毫伏（mV）。 当与DDR4和LPDDR4使用时，每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培（A）。此外，当使用DDR4和LPDDR4时，NCP51145可支持高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流，而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支持远程感测。这些高度集成的DDR终端LDO的优势还包括软启动、片上热关断和（对一些器件）欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大器，对线性电压和负载电流瞬变提供超快响应。所有这些器件还都兼容DDR1和DDR2，易于升级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为-40~+125°C，可扩展至+150°C用于汽车版本。