专利名称:改善钼背电极在激光背切后的特殊清洁方法

专利申请号:CN201210260233.6

公开号:CN103567159A

申请日:2012.07.26

公开日:2014.02.12

申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司

本发明主要目的是改善钼背电极在激光背切后的特殊清洁方法，当钼背电极采用背切的方式让Laser 激光划线后，会因为Laser 激光的高温开始对钼有熔融的效果，这样熔融的状况会让划线过后的沟槽开始产生熔融的火山口粉尘，这些粉尘附着在钼玻璃上，虽然是采用背切，理论其粉尘会向下掉，但是因为火山口粉尘是熔融状，因此并不会掉落，本发明是设计特殊的清洁方法，此清洁方式是在Laser激光划线机内，设计其清洁是使用暖棉且无缝隙的擦拭布在划线后的每一条线作清洁，当玻璃传入到Laser 激光划线机内后，其划线是采用背切方式，当划线完毕后，这些火山口粉尘由乾净的擦拭布进行清洁，如此即可去除火山口粉尘，并依此方法可改善后续钼玻璃与CIGS 之间介面不佳的情形。