中外合作成功研制出1.5英寸石墨烯单晶

中外合作成功研制出1.5英寸石墨烯单晶

中国科学院上海微系统与信息技术研究所、美国德克萨斯州州立大学、香港理工大学，以及华东师范大学的研究人员合作，在国家重大技术专项“晶圆级石墨烯材料和器件基础研究”等项目的支持下，在国际上首次实现了石墨烯单核控制形核和快速生长，成功研制出了1.5英寸石墨烯单晶。

铜表面催化生长是目前制备石墨烯薄膜的主要技术途径，但由于无法实现单核控制，制备的薄膜一般为多晶，且生长速度随着时间的推移逐渐变慢。研究人员通过向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金局域提供碳源，产生局部碳浓度过饱和，成功解决了石墨烯单个核心控制形核这一技术难题。

据称，通过单核控制制备晶圆级石墨烯是三维硅单晶技术在二维材料中的再现，对于推动石墨烯在电子学领域的应用具有重要意义。该项研究成果所研发的控制形核技术同时也为探索其它二维材料单晶晶圆的制备提供了新的思路。

（KX.1127）