一种具有0.5dB噪声系数的450～470MHz单片集成LNA
2014-12-25曾健平戴志伟杨浩张海英郑新年
湖南大学学报·自然科学版 2014年2期
关键词：电感
曾健平 戴志伟 杨浩 张海英 郑新年
摘要：基于0.5um赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450～470 MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本.测试结果表明，该单片集成LNA具有40 dB左右的增益和约0.5 dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性.endprint
摘要：基于0.5um赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450～470 MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本.测试结果表明，该单片集成LNA具有40 dB左右的增益和约0.5 dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性.endprint
摘要：基于0.5um赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450～470 MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成的目的，同时降低了使用成本.测试结果表明，该单片集成LNA具有40 dB左右的增益和约0.5 dB的噪声系数，其低噪声性能十分优秀，这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性.endprint
