意法半导体(ST)的新650 V超结MOSFET提升能效和安全系数

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）的最新超结（super－junction）功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。

MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术，取得了比上一代产品更低的导通电阻（RDS（ON）），以及更低的栅电荷量（QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。此外，这些产品更进一步降低了能耗和热耗散（heat dissipation），让开发人员能够设计出更高效的电源。

同时，与市场现有产品的600 V典型击穿电压相比，意法半导体的新产品将该参数提高至650 V，确保新产品具有更高的安全系数，让设备厂商能够设计更稳健且更可靠的电源系统。

新系列产品还增加了一款采用表面贴装封装的PowerFLAT 5x6 HV高压产品，虽然封装表面积和厚度都很小，但热效率和电流处理能力俱佳。计划于2015年第1季度投入量产的PowerFLAT 5x6 HV封装可有效提高功率容量，助力设备厂商研制尺寸更小的下一代产品，且在实现输出功率变得更高的同时，不会影响其工作可靠性。

MDmesh M2 MOSFET的目标应用包括笔记本电脑、打印机和游戏机等设备的外接电源，以及电视机和音响系统的内部电源。3W－25W单排以及大功率多排LED灯引擎驱动器也将受益于新产品的高热效和高性能。PowerFLAT 5x6 HV封装是太阳能微逆变器的理想选择，为尺寸精巧的家用和商用逆变器模块带来MDmesh M2产品的能效优势。

22 MDmesh M2 650 V MOSFET现已上市，最大额定电流范围为4～11 A，最低导通电阻RDS（ON）降至0.360。STD6N65M2采用D2PAK封装。