Vishay的Si7655DN -20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖

Vishay Intertechnology, Inc.宣布其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

EDN China创新奖于2005年引入国内，以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年，共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品，再由技术专家和EDN高级编辑组成的评审团选出最终的获奖产品。

Si7655DN是业内首款采用3.3 mm x 3.3 mm封装的-20 V P沟道MOSFET，在4.5 V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8 mΩ。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK®1212封装的器件，该封装实现了更低的RDS(on)，同时0.75 mm的标称高度比前一版本封装的高度薄28%，并保持相同的PCB布板样式。

通过使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先的P沟道TrenchFET®Gen III技术，Si7655DN实现了3.6 mΩ(-10 V)、4.8 mΩ(-4.5 V)和8.5 mΩ(-2.5 V)的最大导通电阻。这些指标比最接近的同档-20 V器件低17%以上。Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池使用寿命，其小尺寸封装有助于节省宝贵的空间。