LSI发布SandForce闪存控制器创新技术

全面改善当前闪存的可靠性、耐久度及成本

北京2013年9月4日电/美通社/--LSI公司(NASDAQ：LSI)发布其最新LSI SandForce闪存控制器的创新技术，并在近期举行的美国加州闪存存储器峰会上进行了演示。

LSISandForce闪存控制器的新技术包括LSISHIELDTM技术。这是一种高级的纠错方法，即便同时使用出错率较高的廉价闪存存储器也能实现企业级的SSD耐久度和数据完整性。SHIELD是低密度奇偶校验(LDPC)代码与数字信号处理(DSP)的一种独特实现，其将用于新一代SandForce闪存控制器。该技术完美融合硬判决、软判决和DSP，可提供面向闪存存储器的最优化综合纠错码(ECC)解决方案。

LSISHIELD技术与现有的LDPC实现方式相比具有多种优势，并集合了如下特性：

·自适应编码速率：在SSD生命周期内动态地平衡性能与可靠性；

·智能处理瞬态噪声：降低总体LDPC延迟，改善ECC效率；

·多级ECC模式：适时地应用更高级别的ECC，实现延迟最小化，同时保持最佳闪存性能。

LSI副总裁兼闪存组件部总经理Huibert Verhoeven表示：“虽然 NAND闪存存储器的价值得以提升，且不断推动闪存存储解决方案的普及率，但必须考虑的是，现今产品制造尺寸的缩小会带来可靠性降低和使用寿命缩短等问题。LSISHIELD技术能凭借专门针对SSD进行优化的高级纠错功能解决这些难题，并将最新NAND闪存存储器转化为更加稳健的存储解决方案。”

最新技术亮点：

·SHIELD技术：演示过程中将根据闪存的各种原始比特差错率(RBER)对三种技术进行比较，用以展示SHIELD技术与现有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)代码相比在纠错方面所具备的优势。

·DuraW riteTMVirtual Capacity(DVC)：是一种独特的SandForce闪存控制器功能，可在底层闪存存储器物理容量的基础上扩大典型数据的可用存储容量。通过增加相同物理闪存存储器容量，DVC可帮助降低每GB的用户存储成本。LSI利用典型数据库应用进行的内部测试表明，DVC可将用户数据的存储容量提升三倍多。演示DVC功能的过程中展示了该技术的多种应用。

· 东芝先进 19nm闪存：LSI SandForce SF-2000闪存控制器现已支持东芝第二代先进19nm NAND闪存存储器(A19nm)，使SSD制造商能够制造出成本更低的SSD产品。本演示将展示设置为二级驱动器的东芝A19nm闪存技术SSD，介绍典型文件传输操作。