接地源瞬变电磁短偏移深部探测技术
2013-06-26薛国强陈卫营周楠楠
薛国强,陈卫营,周楠楠,李 海
中国科学院矿产资源研究重点实验室,中国科学院地质与地球物理研究所,北京 100029
1 引 言
随着矿产资源日益减少,深部探矿已成为矿产勘查的一个主要方向.在现有仪器装备基础上,深入开展新方法、新技术研究,是解决新一轮深部探矿战略需求问题的途径之一.在各种深部电磁探矿方法中,长偏移距瞬变电磁(Long Offset Transient Electromagnetic,LOTEM)方法一直发挥着重要作用[1-8].这种方法的深部探矿能力主要来源于较长的观测时长(1000ms以内),使场从地面到目标体有足够的“往返”时间和辨认异常的分离时间;此外,1000~2000m或更长的接地导线,可以获得较高的信噪比和提供满足接收机灵敏度的信号强度.与在水平层状大地上仅激发水平电场、探测低阻层有利的回线源相比,接地导线源既有水平分量电场,还可在电性界面产生感应电荷的垂直分量电场[9],对不同电阻率的矿藏[10]有广泛的适用性,而且较易在地形复杂地区敷设.和可控源音频大地电磁(Controlled Source Audio-frequency Magnetotelluric,CSAMT)法类似,LOTEM 发收间距一般取等于4~6倍的探测深度,以便分离一次场.但是可能跨越了几个构造单元的长偏移存在记录点问题、体积效应较大,增加了解释结果的不确定性,故在1970和1980年代前苏联和美国都有关于短偏移距的研究与试验[11-15],到2010年又有短偏移距的专利[16]出现.寻求消除一次场、缩短发收距的研究也有发表.例如,有文献[17]通过海底探矿的全空间解析分析认为,垂直电偶极的镜像可以消除一次场,水平电偶极源无此作用,不能反映地层电性.随后,又有数值分析继续进行垂直电偶极短偏移距的海底探测研究[18].实际上,在瞬变电磁勘探中,当采用适当的激发波形后,可以使一次场和二次场在时间上分开,因此,水平接地导线的近源响应仍然具有深部探测能力[19].为表示简便,我们将发收距离等于或小于探测深度的电性源瞬变电磁装置命名为SOTEM(Short-offset Transient Electromagnetic).
2 SOTEM的探测能力
2.1 SOTEM的探测可行性
在主动源电磁勘探中,电磁场的激发有两种方式,一种直接由电荷或电流激发,如稳恒电流产生的电场和磁场;一种由电场和磁场间的交互感应激发,如变化的磁场激发涡旋状的电场,变化的电场又激发涡旋状的磁场,电磁波通过这种交互感应运动和传播.在时域电磁法勘探中,这两种激发方式都是存在的.稳定电荷和电流的场,在场源附近存在,场源消失则场消失,这种场称为源的自有场.当电荷和电流随时间变化时,自有场也随时间变化,同时由于电磁场间的交互感应,还有一部分场离开场源向外辐射,这部分场就称为辐射场.在频率域电磁勘探中,变频测深能力就来源于辐射场.如同样是接地导线源的CSAMT,为了使具变频测深能力的辐射场占主导地位,应在远区观测.当然,场的强度随发收距离的增加衰减,考虑到信噪比和接收机灵敏度,一般将观测点布置在离开场源4~6倍探测深度的地方.随着观测点向场源靠近,辐射场的主导地位下降,自有场逐渐占优.以下是水平均匀大地CSAMT近场各分量公式[20]:
式中Idl为偶极矩,其中I是供电电流、dl是偶极长度;r是发收距,θ是场点到源点的夹角;σ是大地电导率、μ0是非磁性大地的磁导率.可以看出,当自有场占优、辐射场忽略不计时,公式(3)—(6)的4个场量已经与大地电导率无关,完全失去了探测能力;只有公式(1)、(2)中的两个水平电场分量Ex、Ey还与大地电导率有关,但与频率无关,只能做几何测深,不能进行频率测深.要利用近区的辐射场进行变频测深,需要进行自有场和辐射场、即一次场和二次场的分离,时域瞬变场提供了这种可能性.
时域电磁法中的激励波形,有三角形连续波、梯形连续波(图1a),还有单脉冲的矩形、半正弦、三角形(图1b)等.
图1 常用TEM激励波形[21](a)连续三角波和梯形波;(b)阶跃、正弦、梯形单脉冲.Fig.1 Usual TEM excitation wave forms[21](a)Triangle and trapezoid continuous wave form;(b)Step,sine and trapezoid single pulse.
连续波形在观测期间始终有一次场存在,深部TEM,如LOTEM如果采用这种波形,则要求发收间距等于4~6倍的探测深度达到远场观测,使辐射场占优;如果采用单脉冲波形,脉冲关断后观测纯二次场,由此将自有场和辐射场分离开来,获得短偏移距的深部探测能力.在对单脉冲频谱考查后,还可以知道阶跃脉冲的频谱中,幅度与频率成反比,低频谐波占主导地位.故为获得大的探测深度、分离自有场和辐射场,SOTEM的激励电流需要采用阶跃波形.
在实际应用中,为了抑制观测系统中的直流偏移和噪声干扰,往往将图1b的单脉冲激励变换为周期性重复的双极性脉冲系列,在正负脉冲关断后观测,仍然是纯二次场.
2.2 SOTEM的探测深度
在不考虑信噪比和接收机灵敏度的情况下,探测深度d仅由观测时间t和地电结构决定,和装置类型、发收距离等无关[22-23]:
对于水平分层大地模型,电偶极源形成的时域电磁场表达式可由全场频域公式[20]、通过实部或虚部的正弦或余弦变换得到[24].以垂直磁场hz为例:
式中J1(λr)为1阶第一类柱Beseel函数,其中λ是r方向的波矢量分量;其中k2i=jωσiμ0;Gk是地层因子,对于m层大地,有从第m 层向上的递推公式:
图2是根据式(8),(9)和(10)计算的两层地层的不同偏移距磁场hz(t)曲线.
可见,在早期随着发收距离r的增加,场强hz减小;晚期r增大hz也增大.不过,图2中不同发收距r=700、1000、2000、3000、4000m 的曲线,虽然在80ms后都有对下伏低阻层的反映,但是,不同偏移距离情况下的曲线反映低阻基底的延迟时间大小不同.例如700m的发收距可以更好地探测到1000m深度的低阻层.说明可以用小于目标深度的发收距实现测深,这在频率域是无法做到的.而且短偏移距的曲线变化幅度大,使得曲线特征更为明显,因此对地层有更高的分辨能力.
图2 两层大地不同偏移距hz(t)曲线Fig.2 Two-layered hz(t)curves with different offset
3 SOTEM数据解释
视电阻率-深度剖面是电磁法勘探中的常规数据解释手段,有多种算法.其中在特定期间,如早期或晚期的视电阻率算法较为简单.但是为了对全部时段的观测数据都有较好的地层反映,有必要采用如下的全期视电阻率算法.
3.1 全期视电阻率计算
文献[25]给出了电性源由垂直磁场hz(t)出发的视电阻率ρs公式:
式中,g[hz(t)]是隐函数,可用如下级数逼近.
其中系数bi由文献[25]给出,αi由最小二乘法求取,即使目标函数F取极小值.
式中
图3分别是G和D型两层大地全期和早、晚期视电阻率对比曲线.可以看出,全期视电阻率对地电结构变化的反映优于早期和晚期视电阻率的.
需要注意的是:通过线圈测得的磁场分量实际上是感生电动势,即∂hz/∂t.因此在利用全期视电阻率公式(10)之前,还应该把实测感应电压转化成垂直磁场强度hz(t).
3.2 视深度
公式(7)是计算视深度的基础,是电磁法探测深度经典文献[22]定义的TEM场的“扩散深度”,是给定时间t内阶跃脉冲向地下单向传播到达的深度.要探测地下某一深度的目标体,还需要返回时间,此双向传播时间至少为2t,文献[22]的解析分析和其后的直接时域数值分析[23]表明,当携带地质信息的场刚刚返回到地面时,以目前的TEM方法和仪器的观测体制,还不能分辨出反射脉冲到达的时刻,还需要在分离时间之后延迟一段时间,达到可分辨时间,以分离异常;此外,大地的色散作用使低频成分逐渐占优的脉冲群速变慢.综合这些因素,可再将2t时间加倍,取观测时间为T=4t,代入式(7),得视深度估算公式:
由(16)式得观测时长估算公式:
式中用电阻率ρ替换了电导率σ.
4 探测实例
时域SOTEM在河南某盐矿地下溶腔探测中进行了试验性施工,证明了SOTEM的探测能力,取得了良好的地质效果.
4.1 工作参数
测区位于河南省中部叶县,地质构造属于舞阳盆地,盐矿层数56层,盐层厚度累计430m.在地下1300~1400m层位发育有水溶压裂开采造成的溶腔,探测的目的是查明地下溶腔的分布范围.由于含盐地层溶水开采后形成的卤水极易导电,应呈低阻反应,观测垂直磁场hz比较有利.使用V8电法工作站和SB-7K型磁探头(有效接收面积40000m2)进行测试.
如前所述,瞬变电磁法探测深度主要由地层电阻率和观测时间决定.表1列出了测区的地层电性.
图3 两层大地早期、晚期、全期视电阻率对比Fig.3 Two-layered curves of early-time,late-time and whole time(a)G-type;(b)D-type.
表1 河南某盐矿地层电性Table 1 Geo-electric earth of some salt-ore in Henan province
虽然正演曲线(图2)和转换后的视电阻率曲线(图3)可以表示可分辨目的层的大致观测时长.但是,实际地层层数远比表1列出的多.三层以上的场曲线由于假极值效应[20],将使层位不易分辨.况且,正演的时长也是需要事前确定的.为此,可用公式(11)估算观测时长.众所周知,在瞬变电磁法中,发射装置通电或断电瞬间激发的电磁波,首先在空气中以光速c很快传播到地表各处,然后有一部分电磁能量垂直传入地下.故可将表1地层厚度和电阻率代入以下公式,得出与地层层理垂直的综合电阻率ρn[26],有
式中m为地层层数.再将ρn≈65Ωm代入公式(17)可知需要的观测时间长度t约为125ms(以光速传播到接收点需要的时间远小于在地中的垂直传播时间,忽略不计).当然,还有直接从场源传播到地中的电磁能量.由于大地的电抗作用,与以光速建立的第一种场相比,第二种场的建立比较迟缓[26].因此,观测时长的估算以第一种场为准.查V8仪器的观测时长(表2)可知,要探测赋存深度1300~1400m的溶腔,应取重复频率为1Hz的时间档.
表2 V8仪器SOTEM观测时间表Table 2 SOTEM survey time table of V8system
在发收距的确定方面,如前所述,如果激励波形是理想阶跃函数,脉冲关断后观测的即为二次场,甚至零偏移距都具有探测能力.但实际仪器电路本身的响应、发射导线、大地造成的关断效应,使得关断后的一段时间内还有一次场存在.为分离关断效应造成的一次场,导线源和观测点之间应当有适当的距离.还由于导电大地中的辐射场按指数衰减,源附近的场变化较为剧烈,较小的坐标测量误差,将通过视电阻率公式引起较大的解释误差[27-28],因此,源和接收点之间需要有一段距离.本次探测采用的收发距r=700~1000m.而且,为达到一定的信噪比,要求有合理的接地导线源长度AB和供电电流I.当发收距r=1000m,重复频率f=1Hz,AB=1000m、I=20A 时,进行观测,图4为实测二次感应电压衰减曲线,可见采用上述工作参数进行观测可取得较高质量的实测数据.
图4 实测感生电动势V(t)曲线Fig.4 EMF curve of field collected data
4.2 探测效果
图5是盐矿溶腔探测中的一条剖面(点距40m).在视电阻率剖面 (图5a)中,地下100m内的高阻层、地下100~700m之间的低阻层、地下700~1100m的更低阻层、和地下1100~1500m的高阻层,分别与第四系的沙砾粘土互层、第三系的砂岩泥岩互层、泥岩层和含盐的膏质泥岩页岩互层对应,短偏移SOTEM观测剖面很好地反映了地层电性变化,图5b是推断地质剖面.进一步地,可以发现在深度1200~1400m范围内,视电阻率的横向及纵向分布不均匀,在整体的高阻背景下呈现几处120Ωm的低阻等值线封闭区,根据盐矿赋存深度,推断为溶腔的反应.由此圈定了80—120号点、280—400号点、600—640号点的三处溶腔.随后在360号点布设的钻孔,在地下1210m处见盐溶腔,证实了SOTEM的探测效果.
图5 盐矿溶腔SOTEM实测成果图(a)视电阻率-深度剖面;(b)地质推断剖面.Fig.5 Result of field data typical section(a)Apparent resistivity section;(b)Interpreted geological section.
5 结论与展望
当采用阶跃脉冲作为激发源,有足够的观测时长,在满足信噪比和接收机灵敏度的情况下,短偏移SOTEM不仅具有长偏移LOTEM的深部探测能力,而且层状大地表面上接地电性源的场,随着偏移距由长到短,曲线特征从平缓模糊变得陡峭明显,说明SOTEM对地层有更好的分辨能力.当测区的构造不能用一维水平层状大地近似时,较小的偏移距体积效应小,记录点问题较易处理,解释结果的确定性更强,有更广泛的应用适应性.在1400m深度的盐矿溶腔探测中,用小于埋藏深度的1000m短偏移距测出的溶腔被钻孔验证.表明了SOTEM的勘探效果.在深部探测中,为获得高质量实测数据采用的长接地导线源,不能再用电偶极子近似.短偏移的场点与源点更为接近,需要有比沿线做电偶极子积分更精确的理论公式,如以时变点电荷为微元的理论公式,作为进一步的研究基础.此外,接地导线源SOTEM对高阻体的探测能力,其它电场和磁场分量在不同环境、不同地质任务中的应用等,都将是今后要继续深入研究的.可以预计,SOTEM将为提高深部探测的分辨率、发展新的观测和解释技术起到积极的作用.
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