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Diodes霍尔开关有效优化敏感度

2013-03-24

电子设计工程 2013年2期
关键词:磁场强度检测点霍尔

Diodes公司推出四款全极性霍尔效应开关,其磁场检测的敏感度适合于多种产品设计的接近效应与位置检测功能。这些微功率器件也为电池及低功率操作进行了优化,在3 V供电下一般仅消耗24μW。

高敏感度的AH1806和AH1808都含有两块霍尔效应板,适用于手机、个人数字助理(PDA)和笔记本电脑等便携式消费性产品,以及工业应用装置。这些霍尔开关的操作点磁场强度为±30高斯与±40高斯,让用户能够准确地控制检测点。它们的工作电压范围为2.5~3.6 V,适合于2.8 V和3.3 V供电的系统。AH1806及AH1808首先以SOT553封装供应,随后在2013年第一季将推出 SC59(SOT23)版本。

中敏感度的AH1807以及低敏感度的AH1809霍尔效应开关分别提供±80高斯与±130高斯的操作点,适用于磁场强度较大的应用,例如智能电表、家电和保安设备。为了提高灵活性,这些开关的供电电压范围增宽为2.5~5.5 V;操作温度范围则扩展到-40~+125°C。这些产品现以SOT553及引脚SIP-3L两种封装供应,将在2013年第一季推出SC59(SOT23)版本。

这些霍尔效应开关基于创新的斩波稳定架构,确保在整个操作范围内维持高可靠性,并且提供超卓的温度稳定性、最小的开关点偏移,以及增强应力承受能力。

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