英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade

英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade

近日在2013应用电力电子会议暨展览会（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用，包括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。

全新Blade封装技术

英飞凌创新的Blade封装技术，采用芯片嵌入概念，使用电镀制程取代标准的封装制程，例如邦线、夹焊以及常见的模制技术。此外，芯片也以叠层薄片进行保护。其结果是大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感，同时还降低热阻。

节省空间，提高效率

DrBlade封装面积为5×5 mm，高度仅为0.5 mm，可满足计算系统对于更高功率密度及节省空间的需求。DrBlade拥有优化的引脚规划，可简化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封装技术，再结合英飞凌的OptiMOS MOSFET，这使DrBlade成为低压市场的最佳稳压解决方案。

咨询编号：2013071007