Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20 nm器件

20 nm UltraScale器件相对竞争产品

提前一年实现1.5～2倍的系统级性能和可编程系统集成度

北京2013年7月10日电/美通社/——All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx，Inc.(NASDAQ∶XLNX)）今天宣布，延续28 nm工艺一系列行业创新，在20 nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款20 nm器件，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20 nm All Programmable器件；发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScaleTM。这些具有里程碑意义的行业第一发布，延续了赛灵思在28 nm领域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。

赛灵思UltraScale架构：行业第一个ASIC级可编程架构,可从20 nm平面晶体管结构(planar)工艺向16 nm乃至FinFET晶体管技术扩展，从单芯片（monolithic）到3D IC扩展。它不仅能解决整体系统吞吐量扩展限制的问题和时延问题，而且直接应对先进节点芯片性能方面的最大瓶颈问题——互连。

赛灵思公司可编程平台产品部高级副总裁Victor Peng指出：“我们制定了业界最积极的20 nm投片计划，我相信，和最接近的竞争产品相比，赛灵思在高端器件上远远领先至少一年的时间，而在中端器件上则领先至少半年左右。当你结合采用台积(TSMC)技术和我们的UltraScale架构，并通过我们的Vivado®设计套件进行协同优化，我们相信将比竞争对手提前一年实现1.5～2倍的系统级性能和可编程系统集成——相当于领先竞争产品整整一代。”

(Xilinx公司供稿)