纳米点电子记忆体速度奇高

美国和台湾的研究人员利用纳米点创建的新电子记忆体技术，在写入和擦除数据方面比当今主流电荷存储内存产品要快10至100倍，打破了世界纪录，其独特的记忆存储方法保证了稳定与长期性，而材料和工艺也与目前主流的集成电路技术兼容，既能满足当前的CMOS工艺生产线，也可应用于其他先进设备的结构，